[發明專利]一種單一基質WLED用熒光粉及其制備方法有效
| 申請號： | 201410827206.1 | 申請日： | 2014-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN104694128B | 公開（公告）日： | 2016-11-30 |
| 發明（設計）人： | 史永勝;陳思秋;寧青菊;曹舒堯 | 申請（專利權）人： | 陜西科技大學 |
| 主分類號： | C09K11/88 | 分類號： | C09K11/88 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710021 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單一 基質 wled 熒光粉 及其 制備 方法 | ||
1.一種單一基質WLED用熒光粉，其特征在于，其化學組成式為NaLaMgTeO6：xDy3+，其中x＝0.005～0.09。
2.一種單一基質WLED用熒光粉的制備方法，其特征在于采用高溫固相法，包括以下步驟：
1)以含有Na+的化合物，含有La3+的化合物，含有Te4+的化合物，含有Mg2+的化合物，含有Dy3+的化合物作為反應原料，按照化學式NaLa1-xMgTeO6：xDy3+中對應元素的化學計量比稱取各原料，其中x＝0.005～0.09；
2)將步驟1)中所稱量原料在研缽中進行充分研磨混合，并將混合均勻的物料粉體放入80℃～100℃烘箱中2～4h烘干；
3)對經過步驟2)烘干的物料粉體進行固相燒結，自室溫起，以1～3℃/min的速率升至150～270℃，再以2～4℃/min的速率升至450～550℃，再以3～5℃/min的速率升溫至1100℃～1200℃，保溫4～6h后冷卻。
3.根據權利要求2所述的一種單一基質WLED用熒光粉的制備方法，其特征在于，所述Na+的化合物為Na2CO3。
4.根據權利要求2所述的一種單一基質WLED用熒光粉的制備方法，其特征在于，所述含有La3+的化合物為La2O3。
5.根據權利要求2所述的一種單一基質WLED用熒光粉的制備方法，其特征在于，所述含有Te4+的化合物為TeO2。
6.根據權利要求2所述的一種單一基質WLED用熒光粉的制備方法，其特征在于，所述含有Mg2+的化合物為Mg(NO3)2·6H2O。
7.根據權利要求2所述的一種單一基質WLED用熒光粉的制備方法，其特征在于，所述含有Dy3+的化合物為Dy2O3。
8.根據權利要求2所述的一種單一基質WLED用熒光粉的制備方法，其特征在于，步驟3)中所述固相燒結是將物料粉體放于剛玉坩堝中，在箱式電阻爐中進行燒結。
9.根據權利要求2所述的一種單一基質WLED用熒光粉的制備方法，其特征在于，步驟3)中所述冷卻為隨爐自然冷卻。
10.根據權利要求2所述的一種單一基質WLED用熒光粉的制備方法，其特征在于，所述含有Na+的化合物、含有La3+的化合物、含有Te4+的化合物和含有Mg2+的化合物純度為分析純，含有Dy3+的化合物純度為高純試劑。
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