[發(fā)明專利]一種半導體芯片的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410820428.0 | 申請日： | 2014-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN104409583A | 公開（公告）日： | 2015-03-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 田艷紅;汪延明;許順成;馬歡 | 申請（專利權(quán)）人： | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372 | 代理人： | 吳大建;劉華聯(lián) |
| 地址： | 423038 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導體 芯片 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導體領(lǐng)域，特別涉及一種半導體芯片的制造方法。
背景技術(shù)
在半導體芯片中，絕緣層用以對半導體進行電絕緣，防止半導體層處的漏電，確保電流按照正確的路徑流動，從而實現(xiàn)半導體的例如發(fā)光等的功能。另外，在發(fā)光半導體芯片中，該絕緣層必須可透光。
在目前的半導體芯片的制造中，通常使用等離子體增強化學氣相沉積、電子束轟擊蒸發(fā)鍍膜或者濺射鍍膜等方法來將二氧化硅沉積在半導體層上，從而制造出二氧化硅的絕緣層。
但是，這樣的二氧化硅絕緣層與半導體材料的接觸性不佳，容易脫落，不能得到良好的絕緣效果。特別是，在對這種芯片進行免打線封裝時，由于導電膠不僅覆蓋住電極，而且還覆蓋了部分半導體層，因此若半導體層處的絕緣層性能不好，則半導體層會與導電膠電接觸。這樣，來自P型電極的電流會不流經(jīng)N型電極而直接從半導體層流出，導致半導體芯片的例如發(fā)光等功能無法實現(xiàn)。也就是說，特別是在免打線封裝時，這種具有二氧化硅絕緣層的半導體芯片的漏電良率較低。另外，沉積二氧化硅的設(shè)備和原料昂貴，工藝繁瑣，且生產(chǎn)率低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種半導體芯片的制造方法，其能夠提高絕緣性能，甚至在免打線封裝時也能實現(xiàn)良好的絕緣，提高了免打線封裝時的漏電良率。另外，本發(fā)明旨在提供一種半導體芯片的制造方法，其不需要昂貴復(fù)雜的設(shè)備，操作簡單，生產(chǎn)率高。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種半導體芯片的制造方法。所述方法包括以下步驟：
a)在襯底上依次層疊N型半導體層、有源層、P型半導體層從而制備外延片；
b)在所述外延片上沉積透明導電層；
c)通過對所述透明導電層、所述P型半導體層、所述有源層進行區(qū)域蝕刻從而分別漏出P型半導體層和N型半導體層；
d)在漏出的透明導電層上制造P型電極、在漏出的N型半導體層上制造N型電極；
e)在上述步驟所得到的結(jié)構(gòu)體上制造絕緣層。
其中，在制造絕緣層的步驟包括以下步驟：
e1)涂覆并烘烤紫外線固化膠；
e2)將紫外線掩板放置在紫外線固化膠上方，并使用紫外線照射紫外線固化膠以固化紫外線固化膠；
e3)除去未固化的紫外線固化膠。
其中，制造外延片的方法可采用現(xiàn)有技術(shù)領(lǐng)域的方法，在此不再復(fù)述。
在一個實施例中，在外延片上沉積透明導電層的方法可以選自磁控濺射法或電子束蒸發(fā)法等，透明導電層的材料為氧化銦錫。
在一個實施例中，對透明導電層、P型半導體層、有源層中的任意一個進行蝕刻可采用干法蝕刻或濕法蝕刻。
在一個實施例中，制造P型或N型電極的材料可以是選自Ni、Al、Cr、Ni、Au等的一種或多種，制造P型或N型電極的方法可以是電子槍蒸鍍法等。
在一個實施例中，掩板可以是鉻制成的板，有鏤空的圖案。掩板還可以由其他能夠遮擋紫外線的材料制成。
在一個實施例中，涂覆所述紫外線固化膠的方法為：使用自動勻膠機來涂覆紫外線固化膠，以得到厚度均勻的涂層。在一個實施例中，涂覆的紫外線固化膠層的厚度約為500nm～3000nm。
在另一個實施例中，紫外線固化膠可以是東莞寶明亮股份有限公司生產(chǎn)的型號為UV-512的產(chǎn)品，用于照射該紫外線固化膠的紫外線的波長為360～365nm，紫外線的曝光能量為3800～5500mj(兆焦耳)，紫外線的照射時間為6～10秒。
在一個實施例中，使用乙醇來除去未固化的所述紫外線固化膠，可將紫外線固化膠浸泡在室溫乙醇中，浸泡時間優(yōu)選約為1～3分鐘。
通過使用紫外線固化膠來制造絕緣層，得到的絕緣層絕緣性優(yōu)良，從而提高了漏電良率，另外，對本發(fā)明的半導體芯片進行免打線封裝時和傳統(tǒng)工藝相比，漏電良率得以提高。此外，使用紫外線固化膠來制造絕緣層，還具有制造工藝簡單、不易脫落的優(yōu)點。
另外，和使用化學氣相沉積等方法來制造SiO2絕緣層相比，根據(jù)本發(fā)明的方法生產(chǎn)的半導體芯片，制造紫外線固化膠的絕緣層具有工藝簡單，工序少，因此提高了生產(chǎn)效率的優(yōu)點。另外，由于使用紫外線固化膠來制造絕緣層不需要復(fù)雜昂貴的化學氣相沉積設(shè)備，因此降低了生產(chǎn)成本。
附圖說明
圖1是半導體芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是在實施例1和實施例2中制造絕緣層的流程圖。
圖3是在比較例中制造絕緣層的流程圖。
圖4是將半導體芯片用于打線封裝時的示意圖。
圖5是將半導體芯片用于免打線封裝時的示意圖。
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