[發(fā)明專(zhuān)利]一種半導(dǎo)體芯片的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410820428.0
• 申請(qǐng)日: 2014-12-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104409583A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田艷紅;汪延明;許順成;馬歡
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;劉華聯(lián)

1.一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，包括以下步驟：

在襯底上依次層疊N型半導(dǎo)體層、有源層、P型半導(dǎo)體層從而制備外延片；

在所述外延片上沉積透明導(dǎo)電層；

對(duì)所述透明導(dǎo)電層、所述P型半導(dǎo)體層、所述有源層進(jìn)行區(qū)域蝕刻，從而分別暴露出P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層；

在所暴露出的P型半導(dǎo)體層上制造P型電極，并且在所暴露出的N型半導(dǎo)體層上制造N型電極；

在經(jīng)過(guò)上述步驟所得到的結(jié)構(gòu)體上制造絕緣層，

其特征在于，在所述制造絕緣層的步驟中使用了紫外線固化膠。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述制造絕緣層的步驟包括以下步驟：

涂覆并烘烤紫外線固化膠；

將紫外線掩板放置在紫外線固化膠上方，并使用紫外線照射紫外線固化膠以固化紫外線固化膠；

除去未固化的紫外線固化膠。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所涂覆的紫外線固化膠的厚度約為500～3000nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述烘烤的溫度約為80～90℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述烘烤的時(shí)間約為1～3分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，用于照射紫外線固化膠的所述紫外線的波長(zhǎng)約為360～370nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述紫外線的曝光能量為3800～5500mj。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述紫外線的照射時(shí)間約為6～10秒。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，使用乙醇來(lái)除去未固化的所述紫外線固化膠。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，將所述紫外線固化膠在所述乙醇中浸泡約1～3分鐘。