[發明專利]一種非晶硅表面氧化層形成方法

在審

• 申請號: 201410819897.0
• 申請日: 2014-12-24
• 公開（公告）號: CN104576318A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 戴天明
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種非晶硅表面氧化層形成方法。

背景技術

在低溫多晶硅(low?temperature?poly-silicon，簡稱為LTPS)薄膜晶體管液晶制程中，準分子激光退火(ELA)工藝是將非晶硅(a-si)直接轉化為多晶硅(Poly-Si)，在LTPS薄膜晶體管液晶制程中極為重要，在進行ELA之前，一般需要對于a-si表面進行相應的處理，去掉表面自然生長的疏松和不均勻的氧化層，在其表面生長一層均勻的致密的氧化層。現有的技術會先通過氫氟酸(HF)去除表面的自然氧化層，然后通過O3氧化a-si表面生成致密的SiOx氧化層，但由于HF處理后表面為a-si具有疏水性，使得后續進行O₃氧化的過程中，溶解到水中的O₃與a-si表面接觸不均勻，使得非晶硅表面氧化層不均勻，進而影響后續ELA結晶表面均勻性。

發明內容

本發明提供一種非晶硅表面氧化層形成方法，提高非晶硅表面氧化層均勻性。

本發明提供一種非晶硅表面氧化層形成方法，其包括以下步驟：使用氫氟酸清洗所述非晶硅的表面；使用水清洗經過氫氟酸清洗的所述非晶硅的表面；對水清洗后的所述非晶硅的表面干燥；采用極紫外光刻方式在干燥后的所述非晶硅的表面形成第一氧化層；采用氧化性溶液清洗具有所述氧化層的非晶硅的表面二形成第二氧化層；對具有第二氧化層的所述非晶硅的表面進行干燥。

其中，所述氧化性溶液為濃度10～50ppm的臭氧水，清洗時間為20s-70s。

其中，在采用極紫外光刻方式在干燥后的所述非晶硅的表面形成第一氧化層的步驟中，所述第一氧化層為厚度是10A的氧化硅。

其中，在采用氧化性溶液清洗具有所述氧化層的非晶硅的表面二形成第二?氧化層的步驟中，所述第二氧化層為厚度為20～50A的氧化硅。

其中，在所述采用極紫外光刻方式在干燥后的所述非晶硅的表面形成第一氧化層的步驟中，使用極紫外光的強度為20-500mw/cm2，持續時間為1s-10s。

其中，所述使用水清洗經過氫氟酸清洗的所述非晶硅的表面的步驟中，采用純凈水進行清洗所述非晶硅的表面的氫氟酸。

其中，在對水清洗后的所述非晶硅的表面干燥的步驟中，采用潔凈N2通過風刀吹干，持續時間為1s～10s。

其中，在所述對具有第二氧化層的所述非晶硅的表面進行干燥的步驟中，所述干燥方式為采用潔凈N2吹干或者旋轉甩干。

其中，在所述步驟使用氫氟酸清洗所述非晶硅的表面中，清洗時間為20s，氫氟酸濃度為0.25％～3％。

本發明的非晶硅表面氧化層形成方法中，在使用氫氟酸清洗與采用氧化性溶液清洗非晶硅的表面之間采用極紫外光刻方式在所述非晶硅的表面形成第一氧化層，進而使所述非晶硅表面親水性強，水的分布均勻，使氧化性溶液能夠及時、均勻地接觸非晶硅進行氧化處理，在非晶硅表面生成均勻的氧化層，從而在ELA結晶時可以制備出均勻的高品質的多晶硅。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為為本發明較佳實施方式的非晶硅表面氧化層形成方法的流程圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

請參閱圖1，圖1為本發明較佳實施方式的非晶硅表面氧化層形成方法的流?程圖。所述非晶硅表面氧化層形成方法包括以下步驟：

步驟S1，使用氫氟酸清洗所述非晶硅的表面；

步驟S2，使用水清洗經過氫氟酸清洗的所述非晶硅的表面；

步驟S3，對水清洗后的所述非晶硅的表面干燥；

步驟S4，采用極紫外光刻方式在干燥后的所述非晶硅的表面形成第一氧化層；

步驟S5，采用氧化性溶液清洗具有所述氧化層的非晶硅的表面二形成第二氧化層；

步驟S6，對具有第二氧化層的所述非晶硅的表面進行干燥。