[發明專利]一種非晶硅表面氧化層形成方法

在審

• 申請號: 201410819897.0
• 申請日: 2014-12-24
• 公開（公告）號: CN104576318A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 戴天明
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種非晶硅表面氧化層形成方法，其包括以下步驟：

使用氫氟酸清洗所述非晶硅的表面；

使用水清洗經過氫氟酸清洗的所述非晶硅的表面；

對水清洗后的所述非晶硅的表面干燥；

采用極紫外光刻方式在干燥后的所述非晶硅的表面形成第一氧化層；

采用氧化性溶液清洗具有所述氧化層的非晶硅的表面二形成第二氧化層；

對具有第二氧化層的所述非晶硅的表面進行干燥。

2.如權利要求1所述的一種非晶硅表面氧化層形成方法，其特征在于，所述氧化性溶液為濃度10～50ppm的臭氧水，清洗時間為20s-70s。

3.如權利要求2所述的一種非晶硅表面氧化層形成方法，其特征在于，在采用極紫外光刻方式在干燥后的所述非晶硅的表面形成第一氧化層的步驟中，所述第一氧化層為厚度是10A的氧化硅。

4.如權利要求3所述的一種非晶硅表面氧化層形成方法，其特征在于，在采用氧化性溶液清洗具有所述氧化層的非晶硅的表面二形成第二氧化層的步驟中，所述第二氧化層為厚度為20～50A的氧化硅。

5.如權利要求1所述的一種非晶硅表面氧化層形成方法，其特征在于，在所述采用極紫外光刻方式在干燥后的所述非晶硅的表面形成第一氧化層的步驟中，使用極紫外光的強度為20-500mw/cm2，持續時間為1s-10s。

6.如權利要求1所述的一種非晶硅表面氧化層形成方法，其特征在于，所述使用水清洗經過氫氟酸清洗的所述非晶硅的表面的步驟中，采用純凈水進行清洗所述非晶硅的表面的氫氟酸。

7.如權利要求1所述的一種非晶硅表面氧化層形成方法，其特征在于，在對水清洗后的所述非晶硅的表面干燥的步驟中，采用潔凈N₂通過風刀吹干，持續時間為1s～10s。

8.如權利要求1所述的一種非晶硅表面氧化層形成方法，其特征在于，在所述對具有第二氧化層的所述非晶硅的表面進行干燥的步驟中，所述干燥方式為采用潔凈N2吹干或者旋轉甩干。

9.如權利要求1所述的一種非晶硅表面氧化層形成方法，其特征在于，在所述步驟使用氫氟酸清洗所述非晶硅的表面中，清洗時間為20s，氫氟酸濃度為0.25％～3％。