[發明專利]半導體存儲器件及其操作方法有效
| 申請號： | 201410818310.4 | 申請日： | 2014-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN105280218B | 公開（公告）日： | 2020-08-11 |
| 發明（設計）人： | 李鉉雨;張修寧 | 申請（專利權）人： | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/4063 | 分類號： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 存儲 器件 及其 操作方法 | ||
1.一種半導體存儲器件，包括：
激活狀態檢測器，其適于：在激活狀態檢測模式中檢測在正常激活命令或額外激活脈沖被激活時的時刻之后是否經過預定的時間，以及基于所述時刻之后經過了預定的時間的檢測結果來產生額外預充電脈沖；
列控制器，其適于：在所述激活狀態檢測模式中，基于所述額外預充電脈沖、列地址和外部列命令來產生所述額外激活脈沖；以及
核心區，其適于：基于正常激活命令或者與所述額外激活脈沖相對應的額外激活命令而被激活，以及基于與所述額外預充電脈沖相對應的額外的預充電命令或者正常預充電命令而被預充電。
2.如權利要求1所述的半導體存儲器件，還包括：
第一激活控制器，其適于：基于外部激活命令和行地址來產生所述正常激活命令，以及基于外部預充電命令和所述行地址來產生所述正常預充電命令；以及
第二激活控制器，其適于：基于所述額外激活脈沖和所述行地址來產生所述額外激活命令，以及基于所述額外預充電脈沖和所述行地址來產生所述額外預充電命令。
3.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述激活狀態檢測器包括：
振蕩單元，其用于在所述激活狀態檢測模式中產生以預定的頻率觸發的振蕩信號；
激活測量單元，其用于：在所述激活狀態檢測模式中，對所述振蕩信號在所述正常激活命令或所述額外激活脈沖被激活時的時刻之后觸發的次數計數，以及將計數的數目作為測量信號輸出；以及
脈沖發生單元，其用于當所述測量信號的值比預定值大時選擇性地將所述額外預充電脈沖激活。
4.如權利要求3所述的半導體存儲器件，其中，在所述激活狀態檢測模式中，所述激活測量單元當所述正常激活命令被激活或者所述外部列命令被施加時將所述測量信號的值初始化。
5.如權利要求4所述的半導體存儲器件，其中，在激活狀態檢測模式中，所述脈沖發生單元當所述測量信號的值比所述預定值大時將所述額外預充電脈沖激活，以及
在所述激活狀態檢測模式中，所述脈沖發生單元當所述測量信號的值等于或小于所述預定值時不將所述額外預充電脈沖激活。
6.如權利要求5所述的半導體存儲器件，其中，當所述額外預充電脈沖被激活時，所述列控制器在所述外部列命令和所述列地址被施加時將所述額外激活脈沖激活，以及
當所述額外預充電脈沖未被激活時，所述列控制器不管所述外部列命令和所述列地址是否被施加而不將所述額外激活脈沖激活。
7.如權利要求5所述的半導體存儲器件，其中，當所述外部列命令和所述列地址被施加時，所述列控制器將正常列命令激活，而與所述激活狀態檢測模式無關。
8.如權利要求7所述的半導體存儲器件，其中，當所述外部列命令和所述列地址被施加、并且所述額外預充電脈沖被激活時，所述列控制器在所述額外激活脈沖被激活時的時刻之后經過預定的時間時將所述正常列命令激活。
9.如權利要求7所述的半導體存儲器件，其中，所述核心區基于所述正常列命令來執行用于輸入/輸出數據的列操作。
10.一種用于操作半導體存儲器件的方法，包括：
在激活狀態檢測模式中，檢測在正常激活命令被激活時的時刻之后是否經過預定的時間，以產生第一檢測結果；以及
基于所述時刻之后經過了預定的時間的所述第一檢測結果而內部產生額外預充電脈沖。
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