[發明專利]半導體存儲器件及其操作方法

有效

• 申請號: 201410818310.4
• 申請日: 2014-12-24
• 公開（公告）號: CN105280218B
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發明（設計）人: 李鉉雨;張修寧
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/4063
• 分類號: G11C11/4063
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;毋二省

一種半導體存儲器件包括：激活狀態檢測器，其適于在激活狀態檢測模式中檢測在正常激活命令或額外激活脈沖被激活時的時刻之后是否經由預定的時間，以及基于檢測結果來產生額外預充電脈沖；列控制器，其適于在激活狀態檢測模式中，基于額外預充電脈沖、列地址和外部列命令來產生額外激活脈沖；以及核心區，其適于基于正常激活命令或者與額外激活脈沖相對應的額外激活命令而被激活，并且基于與額外預充電脈沖相對應的額外的預充電命令或正常預充電命令而被預充電。

相關申請的交叉引用

本申請要求2014年6月30日提交的申請號為10-2014-0080926的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明的各種實施例涉及一種半導體設計技術，且更具體而言，涉及半導體存儲器件的激活預充電操作控制。

背景技術

半導體存儲器件可以儲存多個數據并且提供被請求的數據。即，半導體存儲器件可以執行用于儲存從半導體存儲器件的外部接收到的數據的數據寫入操作、和用于將儲存在半導體存儲器件中的數據輸出至外部的數據讀取操作。

當數據被儲存在半導體存儲器件(特別是動態隨機存取存儲器(DRAM))的存儲器單元(是用于儲存數據的單元)中時，或者當儲存在半導體存儲器件的存儲器單元中的數據被輸出至外部時，要執行若干操作，諸如激活操作、寫入/讀取操作和預充電操作。

執行激活操作和寫入操作用于在DRAM的多個存儲器單元之中選擇指定的存儲器單元、并且將數據儲存在選中的存儲器單元中。另外，執行激活操作和讀取操作用于在DRAM的多個存儲器單元之中選擇指定的存儲器單元、并且將儲存在選中的存儲器單元中的數據輸出。執行預充電操作用于將DRAM返回至激活操作被執行之前的狀態。

圖1是圖示傳統的半導體存儲器件的框圖。

參見圖1，半導體存儲器件包括：核心區100、激活控制器110、列控制器120和地址解碼器160。

激活控制器110響應于外部激活命令EX_ACT和行地址ROW_ADD來產生正常激活命令NM_ACT，以及響應于外部預充電命令EX_PCG和行地址ROW_ADD來產生正常預充電命令NM_PCG。

列控制器120響應于外部列命令EX_RD/WT和列地址COLUMN_ADD來產生正常列命令NM_RD/WT。外部列命令EX_RD/WT可以是讀取命令或寫入命令。

地址解碼器160響應于外部地址EX_ADD來產生行地址ROW_ADD和列地址COLUMN_ADD。

核心區100響應于正常激活命令NM_ACT而被激活，響應于正常預充電命令NM_PCG而被預充電，以及響應于正常列命令NM_RD/WT來執行輸入/輸出數據的列操作。

如上所述，半導體存儲器件響應于從外部施加的外部激活命令EX_ACT來將核心區100激活，以及響應于從外部施加的外部預充電命令EX_PCG來對核心區100預充電。簡言之，傳統的半導體存儲器件依賴于從外部輸入的外部命令EX_ACT和EX_PCG來執行激活-預充電操作。

從施加外部激活命令EX_ACT至施加外部預充電命令EX_PCG的區段可以比針對半導體存儲器件設定的預定時間(tRAS_max)持續更長。

當核心區100即使在經過預定的時間之后也保持激活狀態時，半導體存儲器件的電流損耗會不必要地增加，并且可以引起錯誤的操作。

發明內容

本發明的各種實施例針對一種半導體存儲器件，其能檢測核心區的激活狀態在預定的時間之后是否持續，以及在施加外部預充電命令之前對核心區預充電。