[發明專利]存儲器件

有效

• 申請號: 201410818194.6
• 申請日: 2014-12-24
• 公開（公告）號: CN105304138B
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發明（設計）人: 張修寧;李鉉雨
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;許偉群

一種存儲器件，包括：多個正常字線，其布置在距離彼此第一距離處；冗余字線，其布置在與所述正常字線之中的鄰近所述冗余字線的正常字線距離第二距離處，其中第二距離大于第一距離；以及字線控制單元，其適于選擇性地激活所述正常字線，并且當檢測到頻繁激活的字線時，用冗余字線代替頻繁激活的字線。

相關申請的交叉引用

本申請要求2014年7月21日提交的申請號為10-2014-0091928的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明的各種實施例涉及存儲器件。

背景技術

存儲器件包括多個存儲器單元。存儲器單元可以包括：晶體管，其用作切換器；以及電容器，其用于儲存對應于數據的電荷。儲存在存儲器單元的電容器中的數據根據在電容器中所充的電荷量來確定。當電荷量足夠大時，將對應的存儲器單元確定為儲存高數據(邏輯1)。當電荷釋放時，將對應的存儲器單元確定為儲存低數據(邏輯0)。

由于以使得電荷累積在電容器中的形式來保留數據，所以原則上不消耗功率。然而，由于儲存在電容器中的初始電荷由于MOS晶體管等的PN結引起的泄漏電流的原因而消失，所以數據可能丟失。為了防止這樣的數據丟失，所以要在儲存在存儲器單元中的數據丟失之前把數據讀取出來，并且根據讀取信息要對電容器再充電。這樣的再充電操作被稱為刷新操作，這樣的再充電操作需要周期性地重復以保持數據。

圖1是圖示包括在存儲器件中的單元陣列的示圖。在圖1中，“BL”表示位線。

在圖1的單元陣列中，WLK-1、WLK和WLK+1表示彼此并行地依次布置的三個字線。此外，具有HIGH_ACT的WLK表示激活數或激活頻率高的頻繁激活的字線，以及WLK-1和WLK+1表示與字線WLK相鄰布置的相鄰字線。此外，CELL_K-1、 CELL_K和CELL_K+1表示分別耦接至字線WLK-1、WLK和WLK+1的存儲器單元。存儲器單元CELL_K-1、CELL_K和CELL_K+1分別包括單元晶體管TR_K-1、TR_K 和TR_K+1和單元電容器CAP_K-1、CAP_K和CAP_K+1。

在圖1中，當字線WLK被激活時，或者被預充電，即被去激活時，字線WLK-1和 WLK+1的電壓由于字線WLK與字線WLK-1和WLK+1之間出現的耦接的原因而增加或減少，從而影響單元電容器CAP_K-1和CAP_K+1中所充的電荷量。因而，當字線 WLK被頻繁激活和預充電以在激活狀態和預充電狀態之間切換時，儲存在存儲器單元 CELL_K-1和CELL_K+1中的數據由于在單元電容器CAP_K-1和CAP_K+1.中所充的電荷量的改變的原因而可能丟失。

此外，字線在激活狀態和預充電狀態之間切換時所產生的電磁波可能傳輸耦接至相鄰字線的單元電容器的電荷，例如電子，從而使得存儲器單元的數據變差。這樣的現象被稱為字線擾動或行錘擊。

發明內容

本發明的各種實施例針對一種存儲器件,該存儲器件可以用具有相對強的抗字線擾動性的字線代替頻繁激活的字線。

在本發明的一個實施例中，一種存儲器件可以包括:多個正常字線，其布置在距離彼此第一距離處；冗余字線，其布置在與所述正常字線之中的鄰近所述冗余字線的正常字線距離第二距離處，其中第二距離大于第一距離；以及字線控制單元，其適于選擇性地激活所述正常字線，并且當在所述正常字線之中檢測到頻繁激活的字線時，用所述冗余字線代替頻繁激活的字線。所述字線控制單元可以包括：檢測器，其適于檢測所述頻繁激活的字線；比較器，其適于在檢測到頻繁激活的字線時儲存頻繁激活的字線的地址，并且比較當前輸入的地址與所儲存的地址；以及字線控制器，其適于基于激活命令來激活對應于所述當前輸入的地址的字線，以及在當檢測到頻繁激活的字線時激活了頻繁激活的字線的狀態下激活所述冗余字線。