[發明專利]存儲器件有效
| 申請號: | 201410818194.6 | 申請日: | 2014-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN105304138B | 公開(公告)日: | 2020-10-20 |
| 發明(設計)人: | 張修寧;李鉉雨 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/34 | 分類號: | G11C16/34 |
| 代理公司: | 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;許偉群 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲 器件 | ||
1.一種存儲器件,包括:
多個正常字線;
冗余字線;
虛設字線,其布置在所述冗余字線和所述正常字線之中的與所述冗余字線相鄰的正常字線之間;以及
字線控制單元,其適于選擇性地激活所述正常字線,并且當在所述正常字線之中檢測到頻繁激活的字線時,用所述冗余字線代替所述頻繁激活的字線,
其中,耦接至所述相鄰的正常字線的第一存儲器單元比耦接至不與所述冗余字線相鄰的正常字線的第二存儲器單元具有更長的保持時間,以及
其中,所述第一存儲器單元包括切換晶體管,所述切換晶體管比所述第二存儲器單元具有更高的閾值電壓。
2.如權利要求1所述的存儲器件,其中,所述頻繁激活的字線包括所述正常字線之中的激活數等于或大于參考數或者激活頻率等于或大于參考頻率的正常字線。
3.如權利要求1所述的存儲器件,其中,所述頻繁激活的字線和所述冗余字線對應于相同位線。
4.如權利要求1所述的存儲器件,其中,所述字線控制單元將耦接至所述頻繁激活的字線的存儲器單元的數據復制至耦接至所述冗余字線的存儲器單元中。
5.如權利要求4所述的存儲器件,其中,當耦接至所述頻繁激活的字線的存儲器單元的數據被復制至耦接至所述冗余字線的存儲器單元中時,所述字線控制單元在所述頻繁激活的字線被激活時激活所述冗余字線。
6.如權利要求1所述的存儲器件,其中,當在用所述冗余字線代替所述頻繁激活的字線之后輸入對應于所述頻繁激活的字線的地址時,所述字線控制單元訪問所述冗余字線,而不是訪問所述頻繁激活的字線。
7.一種存儲器件,包括:
多個正常字線;
冗余字線;以及
字線控制單元,其適于選擇性地激活所述正常字線,并且當在所述正常字線之中檢測到頻繁激活的字線時,用所述冗余字線代替所述頻繁激活的字線,
其中,所述正常字線之中的耦接至與所述冗余字線相鄰的正常字線的第一存儲器單元比耦接至不與所述冗余字線相鄰的正常字線的第二存儲器單元具有更長的保持時間,以及
其中,所述第一存儲器單元包括單元電容器,所述單元電容器比所述第二存儲器單元具有更大的電容。
8.如權利要求7所述的存儲器件,其中,所述頻繁激活的字線包括所述正常字線之中的激活數等于或大于參考數或者激活頻率等于或大于參考頻率的正常字線。
9.如權利要求7所述的存儲器件,其中,所述第一存儲器單元和所述第二存儲器單元中的每個包括:
切換晶體管,其耦接至對應的字線;以及
所述單元電容器,其耦接至所述切換晶體管。
10.如權利要求7所述的存儲器件,其中,所述頻繁激活的字線和所述冗余字線對應于相同位線。
11.如權利要求7所述的存儲器件,其中,所述字線控制單元將耦接至所述頻繁激活的字線的存儲器單元的數據復制至耦接至所述冗余字線的存儲器單元中。
12.如權利要求7所述的存儲器件,其中,當耦接至所述頻繁激活的字線的存儲器單元的數據被復制至耦接至所述冗余字線的存儲器單元中時,所述字線控制單元在所述頻繁激活的字線被激活時激活所述冗余字線。
13.如權利要求7所述的存儲器件,其中,當在用所述冗余字線代替所述頻繁激活的字線之后輸入對應于所述頻繁激活的字線的地址時,所述字線控制單元訪問所述冗余字線,而不是訪問所述頻繁激活的字線。
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