[發(fā)明專利]用于電子組件的基板結(jié)構(gòu)及其制法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410815467.1 | 申請日: | 2014-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN105789245A | 公開(公告)日: | 2016-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃月娟;呂奇明 | 申請(專利權(quán))人: | 財團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 電子 組件 板結(jié) 及其 制法 | ||
1.一種用于電子組件的基板結(jié)構(gòu)的制法,包括:
在支撐載體上形成一具有相對的第一表面及第二表面的脫模層,該脫模 層具有第一面積且該脫模層以該第二表面接觸形成于該支撐載體上;
在該脫模層的第一表面形成第一微結(jié)構(gòu),并固化該脫模層,使該脫模層 與該支撐載體之間具有第一黏合度;
在該支撐載體及該脫模層上設(shè)置撓性基板,且該撓性基板以第二面積覆 蓋該支撐載體及該脫模層,其特征在于,該第二面積大于該第一面積,且與 該脫模層的第一表面接觸的該撓性基板表面具有相對于該第一微結(jié)構(gòu)的第 二微結(jié)構(gòu);以及
固化該撓性基板,使該撓性基板與該脫模層之間具有第二黏合度,其特 征在于,該第一黏合度大于該第二黏合度。
2.如權(quán)利要求1所述的制法,其特征在于,該支撐載體選自玻璃、石英、 硅晶片及金屬片所組成組的至少一者。
3.如權(quán)利要求1所述的制法,其特征在于,該脫模層是熱固性聚合物。
4.如權(quán)利要求1所述的制法,其特征在于,該脫模層選自聚硅氧烷、聚 硅氧烷混成材料、環(huán)烯共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯及聚亞酰胺所組成組的至 少一者。
5.如權(quán)利要求1所述的制法,在固化該脫模層前,以模具壓印該脫模層 的第一表面,以形成第一微結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1所述的制法,其特征在于,該第二微結(jié)構(gòu)包括多個凸部, 其為半球狀、角錐狀、桶狀或不規(guī)則凹凸?fàn)睢?
7.如權(quán)利要求6所述的制法,其特征在于,該凸部的尺寸為1nm至1mm。
8.如權(quán)利要求1所述的制法,其特征在于,該固化方式為加熱處理或 UV照射。
9.如權(quán)利要求1所述的制法,其特征在于,該第一黏合度為1B至5B。
10.如權(quán)利要求1所述的制法,其特征在于,該撓性基板是熱固性聚合物。
11.如權(quán)利要求1所述的制法,其特征在于,該撓性基板選自聚亞酰胺、 聚碳酸酯、聚醚砜、聚降冰片烯、聚酯、聚醚醚酮及聚醚酰亞胺所組成組的 至少一者。
12.如權(quán)利要求1所述的制法,其特征在于,該第二黏合度為0B至1B。
13.一種用于電子組件的基板結(jié)構(gòu),包括:
支撐載體;
脫模層,具有第一面積且該脫模層具有相對的第一表面及第二表面,該 脫模層以該第二表面接觸設(shè)置于該支撐載體上,其特征在于,該第一表面具 有第一微結(jié)構(gòu),且該脫模層與該支撐載體之間具有第一黏合度;以及
撓性基板,設(shè)置于該脫模層的第一表面上,且該撓性基板以面積大于該 第一面積的第二面積覆蓋該支撐載體及該脫模層,其特征在于,該撓性基板 與該脫模層之間具有第二黏合度,且該第一黏合度大于該第二黏合度,而與 該脫模層的第一表面接觸的該撓性基板表面具有相對于該第一微結(jié)構(gòu)的第 二微結(jié)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求13所述的基板結(jié)構(gòu),其特征在于,該支撐載體選自玻璃、 石英、硅晶片及金屬片所組成組的至少一者。
15.如權(quán)利要求13所述的基板結(jié)構(gòu),其特征在于,該脫模層為熱固性聚 合物。
16.如權(quán)利要求13所述的基板結(jié)構(gòu),其特征在于,該脫模層選自聚硅氧 烷、聚硅氧烷混成材料、環(huán)烯共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯及聚亞酰胺所組成 組的至少一者。
17.如權(quán)利要求13所述的基板結(jié)構(gòu),其特征在于,該第一黏合度為1B 至5B。
18.如權(quán)利要求13所述的基板結(jié)構(gòu),其特征在于,該撓性基板為熱固性 聚合物。
19.如權(quán)利要求13所述的基板結(jié)構(gòu),其特征在于,該撓性基板選自聚亞 酰胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚降冰片烯、聚酯、聚醚醚酮及聚醚酰亞胺所組 成組的至少一者。
20.如權(quán)利要求13所述的基板結(jié)構(gòu),其特征在于,該第二微結(jié)構(gòu)包括多 個凸部,其為半球狀、角錐狀、桶狀或不規(guī)則凹凸?fàn)睢?
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于財團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院,未經(jīng)財團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410815467.1/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





