[發明專利]對BiSbTe基片進行刻蝕的刻蝕方法

在審

• 申請號: 201410815145.7
• 申請日: 2014-12-24
• 公開（公告）號: CN105789041A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發明（設計）人: 周娜
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/02
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

技術領域

本發明涉及半導體加工領域，具體地，涉及一種對BiSbTe基片 進行刻蝕的刻蝕方法。

背景技術

BiSbTe是一種新型的半導體材料，目前通常采用濕法刻蝕對 BiSbTe基材進行刻蝕。但是，當在BiSbTe基材上形成較為精細的圖 形時，濕法刻蝕的圖形可控性較差。因此，如何提高在BiSbTe基材 上刻蝕精細圖形時的精確程度成為本領域亟待解決的技術問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種對BiSbTe基片進行刻蝕的刻蝕方 法，利用該刻蝕方法對BiSbTe基片進行刻蝕獲得的圖形精度較高。

為了實現上述目的，本發明提供一種對BiSbTe基片進行刻蝕的 刻蝕方法，其中，所述刻蝕方法包括：

將形成有掩膜圖形的BiSbTe基片放入刻蝕腔中；

利用刻蝕氣體對形成有掩模圖形的BiSbTe基片進行刻蝕，所述 刻蝕氣體包括能夠與所述BiSbTe基片反應的化學刻蝕氣體。

優選地，所述化學刻蝕氣體包括氫氣和甲烷。

優選地，所述刻蝕氣體還包括物理刻蝕氣體，所述物理刻蝕氣 體為電離后不與BiSbTe基片反應的氣體。

優選地，所述物理刻蝕氣體為氮氣、氦氣和氬氣中的任意一種 或幾種的混合。

優選地，所述物理刻蝕氣體的流量在所述刻蝕氣體的總流量中 的所占的比例大于所述化學刻蝕氣體中任意一種氣體的流量在所述 刻蝕氣體的總流量中所占的比例。

優選地，所述物理刻蝕氣體為氬氣，所述物理刻蝕氣體的流量 占所述刻蝕氣體總流量的40％～70％。

優選地，所述物理刻蝕氣體的流量為30～100sccm。

優選地，所述物理刻蝕氣體的流量為20～60sccm，所述化學刻 蝕氣體的流量為5～10sccm。

優選地，在對所述BiSbTe基片進行刻蝕時，上電極功率為 2000～2500W，下電極功率為50～500W。

優選地，在對所述BiSbTe基片進行刻蝕時，下電極功率為 70～200W。

優選地，所述BiSbTe基片設置在靜電卡盤上，在對所述BiSbTe 基片進行刻蝕時，所述靜電卡盤的溫度為40～80℃。

本發明所提供的刻蝕方法為干法刻蝕，與濕法刻蝕相比，可以 更精確地在BiSbTe基片上形成所需的圖形。

附圖說明

附圖是用來提供對本發明的進一步理解，并且構成說明書的一 部分，與下面的具體實施方式一起用于解釋本發明，但并不構成對本 發明的限制。在附圖中：

圖1是本發明所提供的刻蝕方法的流程圖；

圖2是等離子體刻蝕設備的基本原理圖；

圖3是利用本發明所提供的刻蝕方法的優選實施方式對BiSbTe 基片進行刻蝕后得到的圖形的掃描電鏡圖；

圖4是圖3的局部放大圖。

附圖標記說明

1：噴嘴2：上部線圈

3：刻蝕腔4：等離子體

5：靜電卡盤6：基片

7：射頻電源8：分子泵

9：干泵10：冷卻器

具體實施方式

以下結合附圖對本發明的具體實施方式進行詳細說明。應當理 解的是，此處所描述的具體實施方式僅用于說明和解釋本發明，并不 用于限制本發明。

如圖1所示，本發明提供一種對BiSbTe基片進行刻蝕的刻蝕方 法，其中，所述刻蝕方法包括：

將形成有掩膜圖形的BiSbTe基片放入刻蝕腔中；

利用刻蝕氣體對形成有掩模圖形的BiSbTe基片進行刻蝕，所述 刻蝕氣體包括能夠與所述BiSbTe基片反應的化學刻蝕氣體。

本發明所提供的刻蝕方法是一種在刻蝕腔內進行的干法刻蝕方 法，刻蝕氣體進入刻蝕腔內后被電離成等離子體。

在進行刻蝕時，所述化學刻蝕氣體被電離后形成的等離子體分 別與BiSbTe基片中的Bi、Sb和Te反應，生成化合物，該生成的化 合物從BiSbTe基片脫落，從而可以在BiSbTe基片上沒有掩膜圖形 覆蓋的部分形成溝槽。

本發明所提供的刻蝕方法為干法刻蝕，與濕法刻蝕相比，可以 更精確地在BiSbTe基片上形成所需的圖形。