[發明專利]對BiSbTe基片進行刻蝕的刻蝕方法在審
| 申請號： | 201410815145.7 | 申請日： | 2014-12-24 |
| 公開（公告）號： | CN105789041A | 公開（公告）日： | 2016-07-20 |
| 發明（設計）人： | 周娜 | 申請（專利權）人： | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | bisbte 進行 刻蝕 方法 | ||
1.一種對BiSbTe基片進行刻蝕的刻蝕方法，其特征在于，所 述刻蝕方法包括：
將形成有掩膜圖形的BiSbTe基片放入刻蝕腔中；
利用刻蝕氣體對形成有掩模圖形的BiSbTe基片進行刻蝕，所述 刻蝕氣體包括能夠與所述BiSbTe基片反應的化學刻蝕氣體。
2.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述化學刻 蝕氣體包括氫氣和甲烷。
3.根據權利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕氣 體還包括物理刻蝕氣體，所述物理刻蝕氣體為電離后不與BiSbTe基 片反應的氣體。
4.根據權利要求3所述的刻蝕方法，其特征在于，所述物理刻 蝕氣體為氮氣、氦氣和氬氣中的任意一種或幾種的混合。
5.根據權利要求3或4所述的刻蝕方法，其特征在于，所述物 理刻蝕氣體的流量在所述刻蝕氣體的總流量中的所占的比例大于所 述化學刻蝕氣體中任意一種氣體的流量在所述刻蝕氣體的總流量中 所占的比例。
6.根據權利要求5所述的刻蝕方法，其特征在于，所述物理刻 蝕氣體為氬氣，所述物理刻蝕氣體的流量占所述刻蝕氣體總流量的 40％～70％。
7.根據權利要求6所述的刻蝕方法，其特征在于，所述物理刻 蝕氣體的流量為30～100sccm。
8.根據權利要求7所述的刻蝕方法，其特征在于，所述物理刻 蝕氣體的流量為20～60sccm，所述化學刻蝕氣體的流量為5～10sccm。
9.根據權利要求1至4中任意一項所述的刻蝕方法，其特征在 于，在對所述BiSbTe基片進行刻蝕時，上電極功率為2000～2500W， 下電極功率為50～500W。
10.根據權利要求9所述的刻蝕方法，其特征在于，在對所述 BiSbTe基片進行刻蝕時，下電極功率為70～200W。
11.根據權利要求1至4中任意一項所述的刻蝕方法，其特征 在于，所述BiSbTe基片設置在靜電卡盤上，在對所述BiSbTe基片 進行刻蝕時，所述靜電卡盤的溫度為40～80℃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
