[發明專利]雙面導電IC卡載帶的加工方法有效
| 申請號: | 201410813120.3 | 申請日: | 2014-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN104505350B | 公開(公告)日: | 2019-04-26 |
| 發明(設計)人: | 余慶華;邵漢文;于艷;高傳梅 | 申請(專利權)人: | 山東新恒匯電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 淄博佳和專利代理事務所 37223 | 代理人: | 孫愛華 |
| 地址: | 255088 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙面 導電 ic 卡載帶 及其 加工 方法 | ||
雙面導電IC卡載帶的加工方法,屬于IC卡載帶加工技術領域。包括基板(1),基板(1)上側由下至上依次設有接觸面銅層(3)、接觸面鎳層(4)和接觸面金層(5),基板(1)下側設有壓焊面銅層(6),接觸面銅層(3)下側設有貫穿基板(1)和壓焊面銅層(6)的盲孔(9),盲孔(9)內充填有導電體(12),導電體(12)導通接觸面銅層(3)與壓焊面銅層(6)。雙面導電IC卡載帶的加工方法,包括充填導電體(12)和回流固化等步驟,在盲孔(9)內注入或填入導電體(12),加熱熔融導電體(12),導電體(12)導通接觸面銅層(3)與壓焊面銅層(6)。具有加工工藝簡單、成本低、環保等優點。
技術領域
雙面導電IC卡載帶的加工方法,屬于IC卡載帶加工技術領域。
背景技術
在傳統雙界面帶天線的IC卡載帶中,IC卡載帶的接觸面銅層與壓焊面銅層的導通是通過在盲孔中鍍銅來實現的,電鍍銅工藝復雜,設備投資費用昂貴,生產所需化學藥水也高昂,為確保可靠性,需要在盲孔的孔墻表面進行沾污去除、粗化,為化學銅或碳化做準備。而且盲孔電鍍銅是在電路還未蝕刻前進行,也就是整片銅表面也會被鍍上銅。為避免電鍍銅表面微小的凹凸點現象對電路蝕刻表面有缺陷,通常會在電鍍銅后進行拋光,過程中還會涉及到廢水處理。
發明內容
本發明要解決的技術問題是:克服現有技術的不足,提供一種加工工藝簡單、成本低、環保的雙面導電IC卡載帶及其加工方法。
本發明解決其技術問題所采用的技術方案是:該雙面導電IC卡載帶,包括基板,基板上側由下至上依次設有接觸面銅層、接觸面鎳層和接觸面金層,基板下側設有壓焊面銅層,接觸面銅層下側設有貫穿基板和壓焊面銅層的盲孔,盲孔內充填有導電體,導電體導通接觸面銅層與壓焊面銅層。導電體直接注入盲孔內,不需要對盲孔的孔壁進行處理,而且不影響周圍的銅表面,加工工藝簡單,降低成本,而且工作可靠,并且導電體注入盲孔后回流固化,不需要外化學處理或清洗,不需要進行廢水處理;接觸面金層保護產品表面,增強耐磨性和防腐能力,接觸面鎳層作為接觸面銅層和接觸面金層之間的阻隔層,防止接觸面銅層和接觸面金層的金銅互相擴散導致電偶腐蝕,大幅度提高耐磨性和防腐能力,提高使用壽命。
優選的,所述壓焊面銅層下側依次設有壓焊面鎳層和壓焊面金層,盲孔向下貫穿壓焊面鎳層和壓焊面金層。壓焊面金層保護IC卡載帶的下表面,增強防腐能力,提高使用壽命,同時提高產品的焊接能力,壓焊面鎳層作為壓焊面銅層和壓焊面金層之間的阻隔層,防止壓焊面銅層和壓焊面金層的金銅互相擴散導致電偶腐蝕,大幅度提高耐磨性和防腐能力,提高使用壽命。
優選的,所述盲孔內側在接觸面銅層與導電體之間設有盲孔金層,所述導電體為焊錫膏。盲孔金層在導電體為錫焊膏時比較容易焊接,焊接牢固。
優選的,所述接觸面銅層通過膠層固定在基板上。固定牢固,加工方便。
優選的,所述盲孔有間隔設置的兩個或兩個以上。增加可靠性。
上述的雙面導電IC卡載帶的加工方法,包括以下步驟:
步驟1,沖壓;
在下側帶有壓焊面銅層的基板上沖壓導電通孔;
步驟2,貼銅;
在基板上側貼接觸面銅層,接觸面銅層使導電通孔成為盲孔;
步驟3,對壓焊面銅層與接觸面銅層進行表面處理;
步驟4,進行貼干膜,曝光,顯影和蝕刻,完成導電圖形;
步驟5,鎳金電鍍;
依次進行鍍鎳、鍍金,在接觸面銅層上側依次電鍍接觸面鎳層和接觸面金層,在壓焊面銅層下側依次形成壓焊面鎳層和壓焊面金層;
步驟6,充填導電體;
在盲孔內注入或填入導電體;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





