[發明專利]雙面導電IC卡載帶的加工方法有效
| 申請號: | 201410813120.3 | 申請日: | 2014-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN104505350B | 公開(公告)日: | 2019-04-26 |
| 發明(設計)人: | 余慶華;邵漢文;于艷;高傳梅 | 申請(專利權)人: | 山東新恒匯電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 淄博佳和專利代理事務所 37223 | 代理人: | 孫愛華 |
| 地址: | 255088 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙面 導電 ic 卡載帶 及其 加工 方法 | ||
1.一種雙面導電IC卡載帶的加工方法,其特征在于:包括基板(1),基板(1)上側由下至上依次設有接觸面銅層(3)、接觸面鎳層(4)和接觸面金層(5),基板(1)下側設有壓焊面銅層(6),接觸面銅層(3)下側設有貫穿基板(1)和壓焊面銅層(6)的盲孔(9),盲孔(9)內充填有導電體(12),導電體(12)導通接觸面銅層(3)與壓焊面銅層(6);所述盲孔(9)內側在接觸面銅層(3)與導電體(12)之間設有盲孔金層(11),所述導電體(12)為焊錫膏;
包括以下步驟:
步驟1,沖壓;
在下側帶有壓焊面銅層(6)的基板(1)上沖壓導電通孔;
步驟2,貼銅;
在基板(1)上側貼接觸面銅層(3),接觸面銅層(3)使導電通孔成為盲孔(9);
步驟3,對壓焊面銅層(6)與接觸面銅層(3)進行表面處理;
步驟4,進行貼干膜,曝光,顯影和蝕刻,完成導電圖形;
步驟5,鎳金電鍍;
依次進行鍍鎳、鍍金,在接觸面銅層(3)上側依次電鍍接觸面鎳層(4)和接觸面金層(5),在壓焊面銅層(6)下側依次形成壓焊面鎳層(7)和壓焊面金層(8);
步驟6,充填導電體(12);
在盲孔(9)內注入或填入導電體(12);
步驟7,導電體(12)回流固化;
加熱熔融導電體(12),導電體(12)導通接觸面銅層(3)與壓焊面銅層(6);
所述步驟6與步驟7在倒裝芯片工序中完成,倒裝芯片采用錫球焊接來實現,在IC卡載帶上沉積錫球,同時將錫球預存在盲孔(9)內,然后將芯片翻轉加熱利用熔融的錫球進行焊接,而盲孔(9)內熔融的錫球形成導電體(12),從而導通接觸面銅層(3)與壓焊面銅層(6),在倒裝芯片的同時完成充填導電體(12)和回流固化。
2.根據權利要求1所述的雙面導電IC卡載帶的加工方法,其特征在于:所述壓焊面銅層(6)下側依次設有壓焊面鎳層(7)和壓焊面金層(8),盲孔(9)向下貫穿壓焊面鎳層(7)和壓焊面金層(8)。
3.根據權利要求1所述的雙面導電IC卡載帶的加工方法,其特征在于:所述接觸面銅層(3)通過膠層(2)固定在基板(1)上。
4.根據權利要求1~2任一項所述的雙面導電IC卡載帶的加工方法,其特征在于:所述盲孔(9)有間隔設置的兩個或兩個以上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





