[發(fā)明專利]一種硅塊的少子壽命檢測方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410812419.7
• 申請(qǐng)日: 2014-12-23
• 公開（公告）號(hào): CN105784436A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪萬盾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江昱輝陽光能源有限公司
• 主分類號(hào): G01N1/28
• 分類號(hào): G01N1/28;G01N21/84
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及硅錠質(zhì)量檢測技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說，涉及一種硅塊的少子 壽命檢測方法。

背景技術(shù)

目前，鑄造多晶硅錠的檢測中，硅錠切割后的硅塊少子檢測是很重要的 環(huán)節(jié)，少子的壽命高低通常表征了硅塊的電學(xué)性能，少子的壽命低的硅塊切 割成硅片后，制作的太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率較低，難以滿足電能轉(zhuǎn)換標(biāo)準(zhǔn)。

多晶硅錠是在鑄錠爐的坩堝內(nèi)鑄造而成的，隨著鑄錠爐溫度以及壓力控 制系統(tǒng)的日益完善，鑄錠爐坩堝的容量也越來越大，所以鑄造的硅錠體積也 越來越大。硅錠切割后的硅塊越來越長，而傳統(tǒng)少子檢測方法無法對(duì)長度超 過設(shè)定閾值的硅塊進(jìn)行少子檢測。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述問題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N硅塊的少子壽命檢測方法，所述少 子壽命檢測方法可以對(duì)長度超過設(shè)定閾值的硅塊進(jìn)行少子檢測。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N硅塊的少子壽命檢測方法，所述少 子壽命檢測方法包括：

將待檢測硅塊在長度方向上分為底部測試區(qū)域以及頂部測試區(qū)域；

對(duì)所述底部測試區(qū)域內(nèi)距離底面距離小于第一距離的第一區(qū)域進(jìn)行少子 壽命檢測；

對(duì)頂部測試區(qū)域內(nèi)距離頂面距離小于第二距離的第二區(qū)域進(jìn)行少子壽命 檢測；

根據(jù)少子壽命檢測結(jié)果，切除所述待檢測硅塊底部少子壽命小于標(biāo)準(zhǔn)值 的區(qū)域以及頂部少子壽命小于標(biāo)準(zhǔn)值的區(qū)域。

優(yōu)選的，在上述少子壽命檢測方法中，采用少子測試儀器對(duì)所述待檢測 硅塊進(jìn)行少子壽命檢測。

優(yōu)選的，在上述少子壽命檢測方法中，所述少子測試儀器為Semilab WT-2000，SemilabWT-2000PV，或SemilabWT-2000PVN。

優(yōu)選的，在上述少子壽命檢測方法中，所述待檢測硅塊的長度范圍為 100mm-1000mm，包括端點(diǎn)值。

優(yōu)選的，在上述少子壽命檢測方法中，所述待檢測硅塊的長度為340mm、 或500mm、或600mm。

優(yōu)選的，在上述少子壽命檢測方法中，所述第一距離的范圍為100mm。

優(yōu)選的，在上述少子壽命檢測方法中，所述第二距離的范圍為100mm。

優(yōu)選的，在上述少子壽命檢測方法中，所述對(duì)所述底部測試區(qū)域內(nèi)距離 底面距離小于第一距離的第一區(qū)域進(jìn)行少子壽命檢測包括：

采用少子測試儀器對(duì)所述第一區(qū)域進(jìn)行少子壽命檢測，根據(jù)所述少子壽 命檢測結(jié)果，生成所述待檢測硅塊的第一區(qū)域的少子壽命分布圖；

根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)值在所述少子壽命分布圖中標(biāo)記所述第一區(qū)域的待切割長 度；

根據(jù)所述待切割長度在所述待檢測硅塊的底端劃線，確定底端待切割位 置。

優(yōu)選的，在上述少子壽命檢測方法中，所述對(duì)頂部測試區(qū)域內(nèi)距離頂面 距離小于第二距離的第二區(qū)域進(jìn)行少子壽命檢測包括：

采用少子測試儀器對(duì)所述第二區(qū)域進(jìn)行少子壽命檢測，根據(jù)所述少子壽 命檢測結(jié)果，生成所述待檢測硅塊的第二區(qū)域的少子壽命分布圖；

根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)值在所述少子壽命分布圖中標(biāo)記所述第二區(qū)域的待切割長 度；

根據(jù)所述待切割長度在所述待檢測硅塊的頂端劃線，確定頂端待切割位 置。

通過上述描述可知，本申請(qǐng)所述的少子壽命檢測方法包括：將待檢測硅 塊在長度方向上分為底部測試區(qū)域以及頂部測試區(qū)域；對(duì)所述底部測試區(qū)域 內(nèi)距離底面距離小于第一距離的第一區(qū)域進(jìn)行少子壽命檢測；對(duì)頂部測試區(qū) 域內(nèi)距離頂面距離小于第二距離的第二區(qū)域進(jìn)行少子壽命檢測；根據(jù)少子壽 命檢測結(jié)果，切除所述待檢測硅塊底部少子壽命小于標(biāo)準(zhǔn)值的區(qū)域以及頂部 少子壽命小于標(biāo)準(zhǔn)值的區(qū)域。可見，所述少子壽命檢測方法在對(duì)待檢測硅塊 進(jìn)行少子壽命檢測時(shí)，將其分為兩個(gè)測試區(qū)域，僅對(duì)測試區(qū)域內(nèi)預(yù)設(shè)的第一 區(qū)域以及第二區(qū)域進(jìn)行檢測，解決了傳統(tǒng)少子檢測方法無法對(duì)長度超過設(shè)定 閾值的硅塊進(jìn)行少子檢測的問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí) 施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面 描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不 付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種硅鑄錠的原理示意圖；