[發明專利]一種硅塊的少子壽命檢測方法在審
| 申請號： | 201410812419.7 | 申請日： | 2014-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN105784436A | 公開（公告）日： | 2016-07-20 |
| 發明（設計）人： | 汪萬盾 | 申請（專利權）人： | 浙江昱輝陽光能源有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28;G01N21/84 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 314117 浙江省嘉興*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 少子 壽命 檢測 方法 | ||
1.一種硅塊的少子壽命檢測方法，其特征在于，所述檢測方法包括：
將待檢測硅塊在長度方向上分為底部測試區域以及頂部測試區域；
對所述底部測試區域內距離底面距離小于第一距離的第一區域進行少子 壽命檢測；
對頂部測試區域內距離頂面距離小于第二距離的第二區域進行少子壽命 檢測；
根據少子壽命檢測的結果，切除所述待檢測硅塊底部少子壽命小于標準 值的區域以及頂部少子壽命小于標準值的區域。
2.根據權利要求1所述的少子壽命檢測方法，其特征在于，采用少子測 試儀器對所述待檢測硅塊進行少子壽命檢測。
3.根據權利要求2所述的少子壽命檢測方法，其特征在于，所述少子測 試儀器為SemilabWT-2000，SemilabWT-2000PV，或SemilabWT-2000PVN。
4.根據權利要求1所述的少子壽命檢測方法，其特征在于，所述待檢測 硅塊的長度范圍為100mm-1000mm，包括端點值。
5.根據權利要求4所述的少子壽命檢測方法，其特征在于，所述待檢測 硅塊的長度為340mm、或500mm、或600mm。
6.根據權利要求1所述的少子壽命檢測方法，其特征在于，所述第一距 離的范圍為100mm。
7.根據權利要求1所述的少子壽命檢測方法，其特征在于，所述第二距 離的范圍為100mm。
8.根據權利要求1所述的少子壽命檢測方法，其特征在于，所述對所述 底部測試區域內距離底面距離小于第一距離的第一區域進行少子壽命檢測包 括：
采用少子測試儀器對所述第一區域進行少子壽命檢測，根據所述少子壽 命檢測結果，生成所述待檢測硅塊的第一區域的少子壽命分布圖；
根據所述標準值在所述少子壽命分布圖中標記所述第一區域的待切割長 度；
根據所述待切割長度在所述待檢測硅塊的底端劃線，確定底端待切割位 置。
9.根據權利要求1所述的少子壽命檢測方法，其特征在于，所述對頂部 測試區域內距離頂面距離小于第二距離的第二區域進行少子壽命檢測包括：
采用少子測試儀器對所述第二區域進行少子壽命檢測，根據所述少子壽 命檢測結果，生成所述待檢測硅塊的第二區域的少子壽命分布圖；
根據所述標準值在所述少子壽命分布圖中標記所述第二區域的待切割長 度；
根據所述待切割長度在所述待檢測硅塊的頂端劃線，確定頂端待切割位 置。
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