[發(fā)明專利]一種硅塊的少子壽命檢測方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410812419.7 | 申請日： | 2014-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN105784436A | 公開（公告）日： | 2016-07-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 汪萬盾 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江昱輝陽光能源有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28;G01N21/84 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 314117 浙江省嘉興*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 少子 壽命 檢測 方法 | ||
1.一種硅塊的少子壽命檢測方法，其特征在于，所述檢測方法包括：
將待檢測硅塊在長度方向上分為底部測試區(qū)域以及頂部測試區(qū)域；
對所述底部測試區(qū)域內(nèi)距離底面距離小于第一距離的第一區(qū)域進行少子 壽命檢測；
對頂部測試區(qū)域內(nèi)距離頂面距離小于第二距離的第二區(qū)域進行少子壽命 檢測；
根據(jù)少子壽命檢測的結(jié)果，切除所述待檢測硅塊底部少子壽命小于標(biāo)準(zhǔn) 值的區(qū)域以及頂部少子壽命小于標(biāo)準(zhǔn)值的區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的少子壽命檢測方法，其特征在于，采用少子測 試儀器對所述待檢測硅塊進行少子壽命檢測。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的少子壽命檢測方法，其特征在于，所述少子測 試儀器為SemilabWT-2000，SemilabWT-2000PV，或SemilabWT-2000PVN。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的少子壽命檢測方法，其特征在于，所述待檢測 硅塊的長度范圍為100mm-1000mm，包括端點值。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的少子壽命檢測方法，其特征在于，所述待檢測 硅塊的長度為340mm、或500mm、或600mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的少子壽命檢測方法，其特征在于，所述第一距 離的范圍為100mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的少子壽命檢測方法，其特征在于，所述第二距 離的范圍為100mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的少子壽命檢測方法，其特征在于，所述對所述 底部測試區(qū)域內(nèi)距離底面距離小于第一距離的第一區(qū)域進行少子壽命檢測包 括：
采用少子測試儀器對所述第一區(qū)域進行少子壽命檢測，根據(jù)所述少子壽 命檢測結(jié)果，生成所述待檢測硅塊的第一區(qū)域的少子壽命分布圖；
根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)值在所述少子壽命分布圖中標(biāo)記所述第一區(qū)域的待切割長 度；
根據(jù)所述待切割長度在所述待檢測硅塊的底端劃線，確定底端待切割位 置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的少子壽命檢測方法，其特征在于，所述對頂部 測試區(qū)域內(nèi)距離頂面距離小于第二距離的第二區(qū)域進行少子壽命檢測包括：
采用少子測試儀器對所述第二區(qū)域進行少子壽命檢測，根據(jù)所述少子壽 命檢測結(jié)果，生成所述待檢測硅塊的第二區(qū)域的少子壽命分布圖；
根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)值在所述少子壽命分布圖中標(biāo)記所述第二區(qū)域的待切割長 度；
根據(jù)所述待切割長度在所述待檢測硅塊的頂端劃線，確定頂端待切割位 置。
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