[發明專利]高溫TFT的復合基板及制備方法和柔性顯示器件的制備方法

有效

• 申請號: 201410812047.8
• 申請日: 2014-12-23
• 公開（公告）號: CN105789243B
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 高卓;付東
• 申請（專利權）人: 深圳TCL工業研究院有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

本發明提供了一種用于高溫TFT的復合基板，包括硬質基板，硬質基板上依次設置有中介層、柔性基板層和高溫TFT功能修飾層。本發明的復合基板，在TFT工藝中柔性基板層不直接與玻璃、硅片等硬質基板載體結合，而通過超薄的中介層間接地與玻璃、硅片等硬質基板載體結合，那么便能避免直接與硬質基板接觸，避免在后續高溫工藝過程中硬質基板表面上存在缺陷和微小顆粒的部位與柔性基板層緊密粘接，導致在柔性基板層剝離過程中在缺陷、顆粒污染處薄膜撕裂，損壞TFT器件的問題。同時功能修飾層可以根據所需要實現調節柔性基板各種性能進行采用，使其更加適于高溫TFT工藝的要求以及特定顯示器件的制備。

技術領域

本發明屬于柔性顯示器技術領域，具體涉及一種高溫TFT的復合基板及制備方法和柔性顯示器件的制備方法。

背景技術

全柔性化顯示的曲屏手機和曲面電視等設備，其需要基于以柔性襯底材料為器件的承載基板，并要求電極層、TFT矩陣、顯示器件以及封裝層均有一定的彎曲半徑才能實現全柔性化，包括電子紙、柔性液晶顯示器和柔性有機電致發光顯示器件。而在大量工業生產中，在柔性基板上制備顯示器件的主要包括兩類：R2R(roll to roll，卷到卷)生產工藝以及S2S(sheet to sheet，張到張)生產工藝。

其中，R2R工藝中先將軟板從圓筒狀的料卷卷出后，在軟板上加入特定用途的功能或在軟板表面加工，最后再把軟板卷成圓筒狀或直接成品裁切；該方法軟板上主要是采用印刷的方式在柔性基板上制備顯示器件，但由于受到印刷技術和顯示墨水材料的限制，達不到高精度顯示的要求，良品率較低。

基于R2R工藝在精確制造上的不足，所以現有制造中最多采用S2S生產工藝進行；S2S生產工藝是結合柔性基板貼附后剝離的方法，實施中先將柔性基板貼附在硬質載體基板上制備顯示器件，制備完顯示器件之后再剝離硬質基板，取出柔性顯示器件。這種方法由于有硬質基板的支撐，可以利于提升顯示器件的制作精度，且制作設備和工藝與制作傳統的TFT(Thin Film Transistor，無輻射薄膜晶體管有源矩陣)-LCD相仿，不必做太大的調整，因此短期內更接近于量產應用。TFT包括低溫TFT工藝和高溫TFT工藝兩種，而相比低溫TFT工藝，高溫工藝才能得到更高分辨率顯示要求的基板。

而S2S工藝中，采用粘接劑將柔性襯底貼附在載體基板上，限制于柔性基板和粘接劑的耐溫性能，工藝過程中既要保證柔性襯底與載體的粘接性，不受TFT工程中清洗，曝光、顯影、刻蝕等過程的影響，又需要再器件制備完成后，方便柔性顯示器件與載體基板的分離。受限制于柔性基板如PET、PEN等材料受限于熱處理溫度僅適用于低溫柔性顯示，并不符合高分辨率柔性顯示發展的要求；因此這種做法更多用于低溫TFT工藝，無法滿足高溫TFT工藝要求。同時，現有S2S工藝中也沒有能適于高溫TFT工藝的柔性顯示基板。

發明內容

本發明實施例的目的在于克服現有技術的上述不足，提供一種適用于S2S制程工藝中高溫TFT制備高精度的柔性顯示器件的復合基板及制備方法和柔性顯示器件的制備方法。

為了實現上述發明目的，本發明實施例的技術方案如下：

一種用于高溫TFT的復合基板，包括硬質基板，所述硬質基板上依次設置有中介層、柔性基板層和高溫TFT功能修飾層。

本發明的復合基板，相比現有的單一的PET、PEN等柔性材料基板，在TFT工藝中柔性基板層不直接與玻璃、硅片等硬質基板載體結合，而在柔性基板層與硬質基板載體之間存在超薄的中介層；柔性基板層通過該中介層10的中間層間接地與玻璃、硅片等硬質基板載體結合，那么便能避免直接與硬質基板接觸，避免在后續高溫工藝過程中硬質基板表面上存在缺陷和微小顆粒的部位與柔性基板層緊密粘接，導致在柔性基板層剝離過程中在缺陷、顆粒污染處薄膜撕裂，損壞TFT器件的問題。同時，在柔性基板層的表面上進一步設置有能增強柔性基板層某些功能特性的功能修飾層，該功能修飾層可以根據所需要實現調節柔性基板各種性能進行采用，使其更加適于高溫TFT工藝的要求以及特定顯示器件的制備。