[發明專利]高溫TFT的復合基板及制備方法和柔性顯示器件的制備方法

有效

• 申請號: 201410812047.8
• 申請日: 2014-12-23
• 公開（公告）號: CN105789243B
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 高卓;付東
• 申請（專利權）人: 深圳TCL工業研究院有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種高溫TFT的復合基板，包括硬質基板，其特征在于，所述硬質基板上依次層疊設置有中介層、柔性基板層和高溫TFT功能修飾層，所述柔性基板層和中介層的材質選用同種PI樹脂或PI樹脂改性材料，所述高溫TFT功能修飾層包括基體材料和摻雜材料，其中，所述基體材料選用PI樹脂材料，所述摻雜材料選自SiN、SiO₂或SiO_xN_y納米粒子，其中，所述中介層通過采用二胺和二酐單體，先氣相沉積后亞胺化處理的方式形成制備于所述硬質基板上。

2.如權利要求1所述的高溫TFT的復合基板，其特征在于，所述中介層的厚度為0.2μm-0.5μm；

和/或，所述柔性基板層的厚度為10μm-20μm。

3.如權利要求1或2所述的高溫TFT的復合基板，其特征在于，所述高溫TFT功能修飾層包括阻隔層；

和/或，所述高溫TFT功能修飾層包括增韌層；

和/或，所述高溫TFT所述功能修飾層包括透明導電層，且該透明導電層在高溫TFT功能修飾層中位于背離所述柔性基板層方向的表層。

4.如權利要求3所述的高溫TFT的復合基板，其特征在于，所述阻隔層為摻雜有水氧阻隔納米粒子SiN、SiO₂或SiO_xN_y中至少一種的柔性材料層；

或，所述增韌層為摻雜有玻璃纖維、碳纖維中至少一種的柔性材料層；

或，所述透明導電層為ITO、AZO或石墨烯中的一種。

5.如權利要求1至4任一項所述的高溫TFT的復合基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

獲取硬質基板；

通過采用二胺和二酐單體先氣相沉積后亞胺化處理的方式，在所述硬質基板上生成中介層；

在所述中介層上制備柔性基板層；

在柔性基板層上制備高溫TFT功能修飾層；

所述柔性基板層和中介層的材質選用同種PI樹脂或PI樹脂改性材料，所述高溫TFT功能修飾層包括基體材料和摻雜材料，其中，所述基體材料選用PI樹脂材料，所述摻雜材料選自SiN、SiO₂或SiO_xN_y納米粒子。

6.如權利要求5所述的高溫TFT的復合基板的制備方法，其特征在于，所述中介層為PI樹脂材質；在所述硬質基板上通過氣相沉積生成中介層的步驟包括：

分別將芳香族四羧酸二酐和二胺單體蒸發形成單體蒸汽后混合，并將混合蒸汽沉積于所述硬質基板上；

將所述硬質基板上沉積的二酐與二胺單體進行亞胺化處理。

7.如權利要求6所述的高溫TFT的復合基板的制備方法，其特征在于，在所述中介層上制備柔性基板層的步驟包括：

將所述柔性基板層的原料溶液用涂布的方式涂布于所述中介層上生成所述柔性基板層；

將涂布有所述柔性基板層的硬質基板于真空條件下進行脫泡處理；

將脫泡處理后的所述柔性基板層進行固化；

和/或，所述芳香族四羧酸二酐和二胺單體蒸發過程中，所述芳香族四羧酸二酐單體的蒸發溫度為150℃～180℃，所述二胺單體的蒸發溫度為60℃～160℃。

8.如權利要求5或6所述的高溫TFT的復合基板的制備方法，其特征在于，所述氣相沉積過程中壓力控制為10^-5Pa～10^-6Pa；

和/或，所述氣相沉積過程中沉積速率為0.15nm/s～0.75nm/s。

9.一種利用權利要求1-4任一項所述的高溫TFT的復合基板制備柔性顯示器件的方法，其特征在于，包括如下步驟：

采用高溫TFT工藝在所述復合基板的功能修飾層表面制備Oxide-TFT驅動陣列層；

在所述Oxide-TFT驅動陣列層上形成OLED層；

在所述OLED層上貼覆封裝膜后，將所述復合基板的柔性基板層與中介層進行剝離。