[發(fā)明專利]陰極電解產(chǎn)物的清洗方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410811294.6 | 申請日: | 2014-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN105780058A | 公開(公告)日: | 2016-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳景暉;姚力軍;代大偉 | 申請(專利權(quán))人: | 寧波創(chuàng)潤新材料有限公司 |
| 主分類號: | C25C3/28 | 分類號: | C25C3/28;C25C7/06 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 吳敏;駱蘇華 |
| 地址: | 浙江省寧波市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陰極 電解 產(chǎn)物 清洗 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及化學(xué)化工領(lǐng)域,尤其涉及一種陰極電解產(chǎn)物的清洗方法。
背景技術(shù)
鈦是一種稀有金屬材料,其具有比重小、比強(qiáng)度高(抗拉強(qiáng)度和密度之 比)、耐熱、無磁、可焊等眾多優(yōu)點,在航空、航天、艦船、兵器等軍事領(lǐng) 域以及石油、化工、冶金、硬質(zhì)合金、制造機(jī)械部件、電訊器材、醫(yī)療等民 用領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。一般來講,高純鈦主要用于航空航天、超大規(guī)模集 成電路的濺射靶材等高科技領(lǐng)域。
目前工業(yè)生產(chǎn)高純鈦的方法主要分為:物理法和化學(xué)精煉法兩類。其中 物理法包括:區(qū)域熔煉法、偏析法、高真空熔煉法、真空蒸餾法、電遷移法、 電磁場提純法、光激勵精煉法、電子束精煉法等。化學(xué)精煉法包括:克勞爾 (Kroll)法、溶劑萃取法、置換沉淀法、氯化物精餾法、碘化物熱分解法、 歧化分解法、熔析精煉法、熔鹽電解法等。其中,應(yīng)用比較廣泛的為熔鹽電 解法。
所述熔鹽電解法是利用電化學(xué)原理提取高純鈦,通常是以粗鈦、鈦合金 或鈦化合物作陽極粗料,在一定析出電位下使原料鈦溶入熔融電解介質(zhì)中, 并在陰極析出高純鈦。電解過程中溶出電位比鈦高的雜質(zhì)留在陽極上或沉淀 在電解液中,溶出電位比鈦低的雜質(zhì)也同鈦一起溶入電解液中。
熔鹽電解后,陰極析出的高純鈦的表面會附著有熔鹽電解介質(zhì)原料和雜 質(zhì)等,例如:氯化鈉、氯化鉀或氟化物等。后續(xù)將高純鈦剝離陰極后,高純 鈦表面附著的熔鹽電解介質(zhì)原料或雜質(zhì)混入其中,會明顯降低高純鈦的純度。 另外,陰極析出的高純鈦大部分是以結(jié)晶的方式附著在陰極的。但是,還有 少部分是以鈦粉的形成附著在高純鈦表面的。而鈦粉與結(jié)晶的高純鈦之間的 結(jié)合并不緊密。后續(xù)將結(jié)晶的高純鈦放在電子束冷床真空熔煉爐形成鈦錠的 過程中,與結(jié)晶的高純鈦結(jié)合不緊密的鈦粉容易漂浮升華至爐頂,并附著在 爐頂?shù)碾娮影l(fā)射器體內(nèi)上,從而造成電子發(fā)射器的功率不穩(wěn)定,容易損壞電 子發(fā)射器。因此,需要將陰極析出的高純鈦清洗干凈。
現(xiàn)有技術(shù)中,清洗陰極高純鈦的方法為:將陰極高純鈦浸泡在具有單一 濃度的稀鹽酸溶液中進(jìn)行清洗。然而,采用現(xiàn)有技術(shù)的清洗陰極高純鈦的方 法并不能將陰極高純鈦清洗干凈,而且清洗效率低下。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是如何將陰極電解產(chǎn)物清洗干凈和如何提高清洗效 率。
為解決上述問題,本發(fā)明提供一種陰極電解產(chǎn)物的清洗方法,包括:
采用酸液對所述陰極電解產(chǎn)物進(jìn)行梯度清洗;
對所述梯度清洗的所述陰極電解產(chǎn)物進(jìn)行水洗。
可選的,所述酸液為稀硫酸溶液或稀硫酸與稀鹽酸的混合溶液。
可選的,所述梯度清洗包括:
采用第一摩爾濃度的所述酸液對所述陰極電解產(chǎn)物進(jìn)行第一清洗;
采用第二摩爾濃度的所述酸液對所述陰極電解產(chǎn)物進(jìn)行第二清洗,所述 第二摩爾濃度小于第一摩爾濃度;
采用第三摩爾濃度的所述酸液對所述陰極電解產(chǎn)物進(jìn)行第三清洗,所述 第三摩爾濃度小于第二摩爾濃度。
可選的,所述第一摩爾濃度為大于等于0.006mol/ml且小于等于 0.008mol/ml。
可選的,所述第二摩爾濃度為大于等于0.004mol/ml且小于等于 0.006mol/ml。
可選的,所述第三摩爾濃度為大于等于0.002mol/ml且小于等于 0.004mol/ml。
可選的,所述陰極電解產(chǎn)物附著在陰極棒上,所述第一清洗在盛有第一 摩爾濃度的所述酸液的第一酸槽中進(jìn)行,所述第一清洗包括在第一摩爾濃度 的所述酸液中移動所述陰極棒。
可選的,所述移動方向為垂直于第一摩爾濃度的所述酸液液面方向。
可選的,所述酸液為所述硫酸溶液與所述鹽酸溶液的混合液時,所述硫 酸與所述鹽酸的體積相等,所述硫酸溶液與所述鹽酸溶液的摩爾濃度相等。
可選的,采用去離子水進(jìn)行所述水洗。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點:
如果采用等度清洗,大量酸液會附著在陰極電解產(chǎn)物表面上。后續(xù)的水 洗步驟無法將酸液清洗干凈,會在陰極電解產(chǎn)物中引入新的雜質(zhì)。因此,如 果對陰極電解產(chǎn)物進(jìn)行梯度清洗,就不會有大量的酸液附著在陰極電解產(chǎn)物 表面,后續(xù)的水洗步驟就可以將酸液清洗干凈。從而提高陰極電解產(chǎn)物的清 洗度。
附圖說明
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