[發明專利]Ga2 有效
| 申請號： | 201410810880.9 | 申請日： | 2014-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN104726935B | 公開（公告）日： | 2020-02-18 |
| 發明（設計）人： | 佐佐木公平;東脅正高 | 申請（專利權）人： | 株式會社田村制作所;獨立行政法人情報通信研究機構 |
| 主分類號： | C30B29/16 | 分類號： | C30B29/16;C30B25/02;C30B23/02;H01L21/02;H01L29/778;H01L29/812;H01L29/872;H01L29/04;H01L29/24;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市隆安律師事務所 11323 | 代理人： | 徐謙 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ga base sub | ||
提供能在量產時以足夠的生長速度形成晶體品質、表面的平坦性優異的Ga2O3系晶體膜的Ga2O3系晶體膜的成膜方法和包括通過該成膜方法形成的Ga2O3系晶體膜的晶體層疊結構體。作為一實施方式，提供在Ga2O3系基板(10)的面方位為(001)的主面(11)上以750℃以上的生長溫度使Ga2O3系晶體膜(12)外延生長的Ga2O3系晶體膜(12)的成膜方法。
技術領域
本發明涉及Ga2O3系晶體膜的成膜方法和晶體層疊結構體。
背景技術
以往，已知在Ga2O3系基板上使Ga2O3系晶體膜外延生長的技術 (例如，參照專利文獻1)。
根據專利文獻1，在主面的面方位為(001)的Ga2O3系基板上以生長溫度700℃使Ga2O3系晶體膜生長的情況下，Ga2O3系晶體膜的生長速度大致為90nm/h。另外，在主面的面方位為(010)的Ga2O3系基板上以生長溫度700℃使Ga2O3系晶體膜生長的情況下，Ga2O3系晶體膜的生長速度大致為130nm/h。
專利文獻1：國際公開第2013/035464號
發明內容
Ga2O3系晶體膜的生長速度在考慮Ga2O3系晶體膜的量產性的情況下是越高越好，最低也要求0.1μm/h程度的速度。另一方面，即使Ga2O3系晶體膜的生長速度高，若晶體品質、表面的平坦性不充分，則也不堪實用。
因此，本發明的目的之一在于，提供能在量產時以足夠的生長速度形成晶體品質、表面的平坦性優異的Ga2O3系晶體膜的Ga2O3系晶體膜的成膜方法和包括通過該成膜方法形成的Ga2O3系晶體膜的晶體層疊結構體。
為了達到上述目的，本發明的一方面提供下述[1]～[3]的Ga2O3系晶體膜的成膜方法。
[1]一種Ga2O3系晶體膜的成膜方法，在Ga2O3系基板的面方位為(001)的主面上以750℃以上的生長溫度使Ga2O3系晶體膜外延生長。
[2]根據上述[1]所述的Ga2O3系晶體膜的成膜方法，其中，上述Ga2O3系晶體膜的主面具有RMS值為1nm以下的平坦性。
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