[發(fā)明專利]Ga2

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410810880.9
• 申請(qǐng)日: 2014-12-23
• 公開（公告）號(hào): CN104726935B
• 公開（公告）日: 2020-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐佐木公平;東脅正高
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社田村制作所;獨(dú)立行政法人情報(bào)通信研究機(jī)構(gòu)
• 主分類號(hào): C30B29/16
• 分類號(hào): C30B29/16;C30B25/02;C30B23/02;H01L21/02;H01L29/778;H01L29/812;H01L29/872;H01L29/04;H01L29/24;H01L29/78
• 代理公司: 北京市隆安律師事務(wù)所 11323
• 代理人: 徐謙

1.一種Ga₂O₃系晶體膜的成膜方法，其特征在于，

在Ga₂O₃系基板的面方位為(001)的主面上，通過MBE法以750℃以上且775℃以下的生長(zhǎng)溫度使Ga₂O₃系晶體膜外延生長(zhǎng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Ga₂O₃系晶體膜的成膜方法，其中，

上述Ga₂O₃系晶體膜的主面具有在1μm見方區(qū)域中的RMS值為1nm以下的平坦性。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的Ga₂O₃系晶體膜的成膜方法，其中，

上述Ga₂O₃系晶體膜為Ga₂O₃晶體膜。

4.一種晶體層疊結(jié)構(gòu)體，其特征在于，包括：

Ga₂O₃系基板，其主面的面方位為(001)；以及

外延生長(zhǎng)膜，其在上述Ga₂O₃系基板的上述主面上形成，其主面具有在1μm見方區(qū)域中的RMS值為1nm以下的平坦性，由單相的Ga₂O₃系晶體構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體層疊結(jié)構(gòu)體，其中，

由上述Ga₂O₃系晶體構(gòu)成的外延生長(zhǎng)膜是由Ga₂O₃晶體構(gòu)成的外延生長(zhǎng)膜。