[發明專利]用于加工半導體器件的方法

在審

• 申請號: 201410806947.1
• 申請日: 2014-12-23
• 公開（公告）號: CN104733288A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: W.萊納特;M.羅加利
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進;胡莉莉

技術領域

各種實施例通常涉及用于加工半導體器件的方法。

背景技術

典型地，半導體器件要求最終金屬（或金屬化）層。為此，金屬層比如被沉積在半導體器件的整個表面之上，例如鋁層借助于濺射工藝被沉積，被結構化并且被鈍化（例如借助于包含借助于化學氣相沉積來沉積的氮化物層和等離子體氧化物層的堆疊）。替選地，金屬可以被電鍍在已經結構化的抗蝕劑掩膜中（例如銅的流電沉積）。

然而，對于半導體器件的最終組裝，典型地要求金屬層的開口部分（即開口鍵合焊盤）。借助于使用鹵素的刻蝕將鈍化層開口典型地導致開口的焊盤的污染，所述開口的焊盤可能在從前端加工進行到后端加工的過程中和在后端加工（例如鋸切）期間腐蝕。這可能導致鍵合質量的高波動。在極端情形下，焊盤可能是不可鍵合的（NSOP，不粘附在焊盤上的問題）。進一步，腐蝕的焊盤可能降低完成的半導體器件的可靠性。

發明內容

依據一個實施例，提供用于加工半導體器件的方法，所述方法包含：形成最終金屬層；在最終金屬層之上形成鈍化層；并且結構化鈍化層和最終金屬層以形成圖案化的金屬層和圖案化的鈍化層，其中圖案化的金屬層包含被圖案化的鈍化層覆蓋的焊盤區。

依據另一個實施例，提供用于加工半導體器件的方法，所述方法包含：形成最終金屬層；將處于不完全固化的狀態的第一鈍化層沉積在最終金屬層之上；在第一鈍化層處于不完全固化的狀態時結構化第一鈍化層以將最終金屬層的部分開口；在第一鈍化層處于不完全固化的狀態時將第二鈍化層沉積在第一鈍化層之上以及在最終金屬層的部分之上；并且在沉積第二鈍化層之后，至少部分地固化第一鈍化層。

依據進一步實施例，提供用于加工半導體器件的方法，所述方法包含：形成最終金屬層；將第一鈍化層沉積在最終金屬層之上；部分地使第一鈍化層聚合；在第一鈍化層處于部分聚合的狀態時結構化第一鈍化層以將最終金屬層的部分開口；在第一鈍化層處于部分聚合的狀態時將第二鈍化層沉積在第一鈍化層之上以及在最終金屬層的部分之上；并且在沉積第二鈍化層之后，使第一鈍化層聚合。

附圖說明

在附圖中，貫穿不同視圖，相同的參考字符通常指的是相同的部分。附圖不必成比例，而通常將重點放在圖解本發明的原理上。在下面的描述中，參考附圖描述本發明的各種實施例，在附圖中：

圖1示出圖解依據實施例的用于加工半導體器件的方法的流程圖。

圖2示出圖解依據另一個實施例的用于加工半導體器件的方法的流程圖。

圖3示出圖解依據進一步實施例的用于加工半導體器件的方法的流程圖。

圖4A到4E示出依據實施例的用于加工半導體器件的方法中的各種階段。

圖5A到5D示出依據實施例的用于加工半導體器件的方法中的各種階段。

圖6示出圖解可以在依據各種實施例的用于加工半導體器件的方法中被用來生長包含氧化鋁的層的原子層沉積工藝的工藝原理的各種視圖。

具體實施方式

下面的詳細描述參考附圖，所述附圖通過圖解的方式示出在其中可以實踐本發明的特定細節和實施例。這些實施例被足夠詳細描述以使本領域技術人員能夠實踐本發明。可以采用其它實施例并且可以進行結構、邏輯、和電氣改變而沒有脫離本發明的范圍。各種實施例不必相互排斥，因為一些實施例能夠與一個或多個其它實施例組合以形成新的實施例。各種用于結構或器件的實施例被描述，并且各種用于方法的實施例被描述。可以理解的是連同結構或器件被描述的一個或多個（例如所有的）實施例可以等同地可應用到方法，并且反之亦然。

詞“示范性的”在本文中被用來表示“用作示例、實例、或圖解”。在本文中描述為“示范性的”任何實施例或設計不必被理解為與其它實施例或設計相比是優選的或有優勢的。

在本文中用來描述“在側或表面之上”形成特征（例如層）的詞“在...之上”可以被用來表示特征（例如層）可以“直接地在暗示的側或表面上”形成，例如與暗示的側或表面直接接觸。在本文中用來描述“在側或表面之上”形成特征（例如層）的詞“在...之上”可以被用來表示特征（例如層）可以“間接地在暗示的側或表面上”形成，其中一個或多個額外的層被布置在暗示的側或表面和形成的層之間。

在一個或多個實施例中，術語“最終金屬層”可以包含（比如包含半導體器件的晶片或芯片的）半導體器件的最終金屬化級（例如頂金屬化級）的金屬層。