[發明專利]用于加工半導體器件的方法

在審

• 申請號: 201410806947.1
• 申請日: 2014-12-23
• 公開（公告）號: CN104733288A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: W.萊納特;M.羅加利
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進;胡莉莉

1.一種用于加工半導體器件的方法，包括：

形成最終金屬層；

在最終金屬層之上形成鈍化層；

結構化鈍化層和最終金屬層以形成圖案化的金屬層和圖案化的鈍化層，其中圖案化的金屬層包含被圖案化的鈍化層覆蓋的焊盤區。

2.依據權利要求1的所述方法，其中鈍化層包括金屬氧化物。

3.依據權利要求2的所述方法，其中金屬氧化物是與最終金屬層的材料的自然氧化物不同的氧化物。

4.依據權利要求1的所述方法，其中鈍化層包括氧化鋁。

5.依據權利要求1的所述方法，其中鈍化層借助于原子層沉積工藝形成在最終金屬層之上。

6.依據權利要求5的所述方法，其中原子層沉積工藝包括鋁前體，所述鋁前體包括三甲基鋁。

7.依據權利要求5的所述方法，其中原子層沉積工藝包括來自下面氧化前體組的至少一個氧化前體，該氧化前體組由水、醇、異丙醇、乙醇和甲醇組成。

8.依據權利要求1的所述方法，其中鈍化層在最終金屬層的整個表面之上形成。

9.依據權利要求1的所述方法，其中結構化鈍化層和最終金屬層包括：形成掩膜，圖案化掩膜，并且使用圖案化的掩膜刻蝕鈍化層和金屬層。

10.依據權利要求9的所述方法，其中掩膜包括刻蝕抗蝕劑。

11.依據權利要求9的所述方法，其中掩膜覆蓋焊盤區。

12.依據權利要求1的所述方法，其中刻蝕鈍化層和金屬層包括干法刻蝕或濕法刻蝕鈍化層和金屬層。

13.依據權利要求1的所述方法，其中最終金屬層包括來自下面金屬組的至少一個金屬，該金屬組由銅、銀、鈀、鎢、鋁和錫組成。

14.一種用于加工半導體器件的方法，包括：

形成最終金屬層；

將處于不完全固化的狀態的第一鈍化層沉積在最終金屬層之上；

在第一鈍化層處于不完全固化的狀態時結構化第一鈍化層以將最終金屬層的部分開口；

在第一鈍化層處于不完全固化的狀態時將第二鈍化層沉積在第一鈍化層之上以及在最終金屬層的部分之上；并且

在沉積第二鈍化層之后，至少部分地固化第一鈍化層。

15.依據權利要求14的所述方法，其中在第一鈍化層的固化期間第一鈍化層收縮并且沉積在第一鈍化層上的第二鈍化層的部分與第一鈍化層分離或沉入第一鈍化層中。

16.依據權利要求14的所述方法，其中第一鈍化層包含有機前體。

17.依據權利要求14的所述方法，其中第一鈍化層包含酰亞胺。

18.依據權利要求14的所述方法，其中第一鈍化層包含光敏聚酰亞胺。

19.依據權利要求14的所述方法，其中至少部分地固化第一鈍化層包含將第一鈍化固化到比不完全固化的狀態更完全固化的狀態。

20.依據權利要求14的所述方法，其中至少部分地固化第一鈍化層包含硬烘第一鈍化層。

21.依據權利要求14的所述方法，其中至少部分地固化第一鈍化包含使第一鈍化層聚合。

22.依據權利要求14的所述方法，其中第二鈍化層包含金屬氧化物。

23.依據權利要求14的所述方法，其中第二鈍化層借助于原子層沉積工藝被沉積。

24.依據權利要求14的所述方法，其中第二鈍化層形成在金屬層的部分和第一鈍化層的整個表面之上。

25.一種用于加工半導體器件的方法，包括：

形成最終金屬層；

將第一鈍化層沉積在最終金屬層之上；

部分地使第一鈍化層聚合；

在第一鈍化層處于部分聚合的狀態時結構化第一鈍化層以將最終金屬層的部分開口；

在第一鈍化層處于部分聚合的狀態時將第二鈍化層沉積在第一鈍化層之上以及在最終金屬層的部分之上；并且

在沉積第二鈍化層之后，使第一鈍化層聚合。