[發明專利]嵌入式晶體管

有效

• 申請號: 201410803553.0
• 申請日: 2014-12-22
• 公開（公告）號: CN105374688B
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發明（設計）人: 丁裕偉;蔡竣揚;黃國欽
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

提供具有第一組溝槽和第二組溝槽的襯底；

將介電材料設置在所述第一組溝槽和所述第二組溝槽中；

去除所述第二組溝槽中的所述介電材料；

將電介質生長改性劑注入到第二組溝槽中的第一溝槽的第一側壁內；以及

沿著所述第二組溝槽中的第一溝槽的第一側壁和底部形成柵極絕緣層，其中，所述柵極絕緣層沿著所述第一側壁以不同于沿著所述底部的速率形成，使得所述柵極絕緣層沿著所述第一側壁具有逐減的厚度。

2.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中，所述電介質生長改性劑包括氟。

3.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，還包括：將所述電介質生長改性劑注入到所述第二組溝槽中的第一溝槽的不同于所述第一側壁的第二側壁內。

4.根據權利要求3所述的制造半導體器件的方法，其中，以大于零的第一角度實施將所述電介質生長改性劑注入到所述第一側壁內。

5.根據權利要求4所述的制造半導體器件的方法，其中，所述第一角度大于所述第一溝槽的寬度除以所述第一溝槽的高度的反正切。

6.根據權利要求4所述的制造半導體器件的方法，其中，以與所述第一角度相對的第二角度將所述電介質生長改性劑注入到所述第二側壁內。

7.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中，所述第二組溝槽中的第一溝槽具有不包括所述電介質生長改性劑的第二側壁，其中，所述第二側壁不同于所述第一側壁。

8.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在襯底中形成第一溝槽和第二溝槽；

通過第一介電材料層填充所述第一溝槽和第二溝槽；

從所述第二溝槽中去除所述第一介電材料層，其中，在去除所述第一介電材料層之后，暴露所述第二溝槽的底部；

以第一角度將第一電介質生長改性劑注入到所述第二溝槽的第一側壁內；

將第二電介質生長改性劑注入到所述第二溝槽的不同于第一側壁的第二側壁內，其中，以不同于所述第一角度的第二角度實施所述第二電介質生長改性劑的注入；以及

沿著所述第二溝槽的底部、所述第一側壁和所述第二側壁生長柵極絕緣層，其中，所述柵極絕緣層沿著所述第二溝槽的底部具有第一厚度，所述第一厚度小于柵極絕緣層沿著所述第一側壁和所述第二側壁具有的第二厚度。

9.根據權利要求8所述的制造半導體器件的方法，其中，所述電介質生長改性劑包括氟。

10.根據權利要求8所述的制造半導體器件的方法，其中，所述第一角度大于所述第二溝槽的寬度除以所述第二溝槽的高度的反正切。

11.根據權利要求10所述的制造半導體器件的方法，其中，所述第二角度大于所述第二溝槽的寬度除以所述第二溝槽的高度的反正切并且與所述第一角度相對。

12.根據權利要求8所述的制造半導體器件的方法，還包括：將柵電極沉積在所述第二溝槽內。

13.根據權利要求8所述的制造半導體器件的方法，其中，生長所述柵極絕緣層包括原位蒸汽生成工藝。

14.根據權利要求8所述的制造半導體器件的方法，其中，生長所述柵極絕緣層包括化學汽相沉積工藝。