[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201410802443.2
• 申請日: 2014-12-22
• 公開（公告）號: CN105789272A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發明（設計）人: 賴二琨
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/40
• 分類號: H01L29/40;H01L21/28;H01L21/31
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種半導體結構，包括：

一基板；

一疊層，由交替的導電層和絕緣層構成，該疊層形成于該基板上；

二開口，貫穿該疊層；

一氧化層，形成于該二開口的多個側壁上；以及

一導電體，填充于該二開口中，該導電體與該二開口的這些側壁只由 該氧化層分離。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中該氧化層的厚度是到

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中填充于該二開口中的該 導電體作為一串行選擇結構或一接地選擇結構。

4.一種半導體結構，包括：

一基板；

一疊層，由交替的導電層和絕緣層構成，該疊層形成于該基板上；

一開口，貫穿該疊層；

一氧化層，形成于該開口的一側壁上；以及

一導電體，填充于該開口中，該導電體與該開口的該側壁只由該氧化 層分離。

5.根據權利要求4所述的半導體結構，其中該氧化層的厚度是到

6.根據權利要求4所述的半導體結構，其中填充于該開口中的該導 電體作為一反轉柵極(inversiongate)，施加一電壓于該反轉柵極后產生一反 轉層。

7.一種半導體結構的制造方法，包括：

形成由交替的導電層和絕緣層構成的一疊層于一基板上；

形成多個開口貫穿該疊層；

形成一氧化層于這些開口的多個側壁上；以及

填充一導電體至這些開口中，該導電體與這些開口的這些側壁只由該 氧化層分離。

8.根據權利要求7所述的半導體結構的制造方法，其中該氧化層的 厚度是到

9.根據權利要求7所述的半導體結構的制造方法，在形成這些開口 之前，更包括：

形成一隧穿層-捕捉層-勢壘層結構共形地覆蓋該疊層；以及

形成一第一導電層覆蓋該隧穿層-捕捉層-勢壘層結構；

其中這些開口貫穿該第一導電層、該隧穿層-捕捉層-勢壘層結構及該 疊層。

10.根據權利要求9所述的半導體結構的制造方法，在填充該導電體 之后，更包括：

形成一第二導電層連接該導電體及該第一導電層；

形成多個第一孔洞貫穿該第二導電層及該導電體；

形成多個第二孔洞貫穿該第二導電層及該第一導電層；以及

填充一絕緣體至這些第一孔洞及這些第二孔洞中。