[發(fā)明專利]穩(wěn)定性好的電子芯片

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410801320.7
• 申請(qǐng)日: 2014-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN104465540A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林蔡月琴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 永新電子常熟有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/29
• 分類號(hào): H01L23/29
• 代理公司: 北京瑞思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11341
• 代理人: 袁紅紅

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種穩(wěn)定性好的電子芯片。

背景技術(shù)

隨著社會(huì)飛速前進(jìn)，用電設(shè)備與日俱增。但電力輸配設(shè)施的老化和發(fā)展滯后，以及設(shè)計(jì)不良和供電不足等原因造成末端用戶電壓的過低，而線頭用戶則經(jīng)常電壓偏高，對(duì)用電設(shè)備特別是對(duì)電壓要求嚴(yán)格的高新科技和精密設(shè)備，獨(dú)如一顆不定時(shí)炸彈。市電系統(tǒng)作為公共電網(wǎng)，上面連接了成千上萬各種各樣的負(fù)載，其中一些較大的感性、容性、開關(guān)電源等負(fù)載不僅從電網(wǎng)中獲得電能，還會(huì)反過來對(duì)電網(wǎng)本身造成影響，惡化電網(wǎng)或局部電網(wǎng)的供電品質(zhì)，造成市電電壓波形畸變或頻率漂移。另外意外的自然和人為事故，如負(fù)載電壓過大、地震、雷擊、輸變電系統(tǒng)斷路或短路，都會(huì)危害電力的正常供應(yīng)，從而影響負(fù)載的正常工作。

不穩(wěn)定的電壓會(huì)使設(shè)備造成致命傷害或誤動(dòng)作，影響生產(chǎn)，造成交貨期延誤、品質(zhì)不穩(wěn)定等多方面損失。同時(shí)加速設(shè)備的老化、影響使用壽命甚至燒毀配件，使業(yè)主面臨需要維修的困擾或短期內(nèi)就要更新設(shè)備，浪費(fèi)資源；嚴(yán)重者甚至發(fā)生安全事故，造成不可估量的損失。

所以使用穩(wěn)壓器，對(duì)用電設(shè)備特別是對(duì)電壓要求嚴(yán)格的高新科技和精密設(shè)備來說是必不可少的。

發(fā)明內(nèi)容

???本發(fā)明提供一種具有壓電性、熱釋電性和防靜電優(yōu)點(diǎn)的穩(wěn)定性好的電子芯片。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種穩(wěn)定性好的電子芯片，所述的穩(wěn)定性好的電子芯片包括最上層的陶瓷材料層、中間層的融合劑和最下層的半導(dǎo)體材料層組合而成，所述陶瓷材料層為硅酸鹽，所述半導(dǎo)體材料層為碳基，所述的陶瓷材料層占穩(wěn)定性好的電子芯片總體分量的18%-19%，所述的融合劑占穩(wěn)定性好的電子芯片總體分量的8%-10%，所述的半導(dǎo)體材料層占穩(wěn)定性好的電子芯片總體分量的70%-80%。

在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的融合劑為磷酸鎳錳融合劑。

在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的陶瓷材料層占穩(wěn)定性好的電子芯片總體分量的18%，所述的融合劑占穩(wěn)定性好的電子芯片總體分量的10%，所述的半導(dǎo)體材料層占穩(wěn)定性好的電子芯片總體分量的72%。

本發(fā)明的一種穩(wěn)定性好的電子芯片，具有壓電性、熱釋電性和防靜電的優(yōu)點(diǎn)。

具體實(shí)施方式

下面對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。

其中，所述的穩(wěn)定性好的電子芯片包括最上層的陶瓷材料層、中間層的融合劑和最下層的半導(dǎo)體材料層組合而成，所述陶瓷材料層為硅酸鹽，所述半導(dǎo)體材料層為碳基，所述的陶瓷材料層占穩(wěn)定性好的電子芯片總體分量的18%-19%，所述的融合劑占穩(wěn)定性好的電子芯片總體分量的8%-10%，所述的半導(dǎo)體材料層占穩(wěn)定性好的電子芯片總體分量的70%-80%。

進(jìn)一步說明，所述的融合劑為磷酸鎳錳融合劑，所述的陶瓷材料層占穩(wěn)定性好的電子芯片總體分量的18%，所述的融合劑占穩(wěn)定性好的電子芯片總體分量的10%，所述的半導(dǎo)體材料層占穩(wěn)定性好的電子芯片總體分量的72%。碳基即用增強(qiáng)體浸漬熔融的石油或煤瀝青，再經(jīng)碳化和石墨處理，它的基體是石墨碳，呈層狀條帶結(jié)構(gòu)，性能是各向異性的。還有用增強(qiáng)體浸漬糠醇或酚醛等熱固性樹脂，只經(jīng)碳化處理，它的基體是玻璃碳，即無定型碳結(jié)構(gòu)，性能是各向同性的；另一是CVD法，即把烴類化合物的熱解碳沉積在增強(qiáng)體上來進(jìn)行復(fù)合，這種方法的碳基體是類似玻璃碳的熱解碳。碳/碳復(fù)合材料不耐氧化，所以有時(shí)需要加抗氧化涂層。

再進(jìn)一步說明，硅酸鹽由硅和氧組成的化合物，有時(shí)亦包括一種或多種金屬或氫元素。從概念上可以說硅酸鹽是硅，氧和金屬組成的化合物的總稱。它亦用以表示由二氧化硅或硅酸產(chǎn)生的鹽。能與酸反應(yīng)生成硅酸固體。在普通情況下，最穩(wěn)定的硅酸鹽是二氧化硅，俗稱石英，和其他物質(zhì)組成的化合物。二氧化硅經(jīng)常有微量的硅酸處于平衡狀態(tài)。化學(xué)家認(rèn)為石英是不可溶解的，但在長(zhǎng)時(shí)間尺度下，它是可以流動(dòng)的。此外，在堿性條件下，會(huì)出現(xiàn)。大部分硅酸鹽都是不可溶解的。硅酸鹽礦物的特征是它們的正四面體結(jié)構(gòu)，有時(shí)這些正四面體以鏈狀、雙鏈狀、片狀、三維架狀方式連結(jié)起來。按正四面體聚合的程度，硅酸鹽再細(xì)分為：島狀硅酸鹽類、環(huán)狀硅酸鹽類等。在地質(zhì)學(xué)和天文學(xué)上，硅酸鹽指一種由硅和氧組成的巖石，有時(shí)亦包括一或多種金屬和或氫。此類巖石包括花崗巖及輝長(zhǎng)巖等。地球及其他類地行星的大部分地殼均以硅酸鹽組成。本發(fā)明提供一種穩(wěn)定性好的電子芯片，具有壓電性、熱釋電性和防靜電的優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動(dòng)想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書所限定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。