[發明專利]低功耗的電子芯片有效
| 申請號: | 201410801128.8 | 申請日: | 2014-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN104658993A | 公開(公告)日: | 2015-05-27 |
| 發明(設計)人: | 林蔡月琴 | 申請(專利權)人: | 永新電子常熟有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/373 | 分類號: | H01L23/373 |
| 代理公司: | 北京瑞思知識產權代理事務所(普通合伙) 11341 | 代理人: | 袁紅紅 |
| 地址: | 215500 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 功耗 電子 芯片 | ||
1.一種低功耗的電子芯片,其特征在于:所述的低功耗的電子芯片包括最上層的超導體材料層、中間層的還原劑和最下層的有色金屬合金層組合而成,所述超導體材料層為鑭鋇銅氧化物,所述有色金屬合金層為硅鐵,所述的超導體材料層占低功耗的電子芯片總體分量的68%-69%,所述的還原劑占低功耗的電子芯片總體分量的13%-15%,所述的有色金屬合金層占低功耗的電子芯片總體分量的14%-20%。
2.根據權利要求1所述的低功耗的電子芯片,其特征在于:所述的還原劑為無水硫酸亞鐵還原劑。
3.根據權利要求1所述的低功耗的電子芯片,其特征在于:所述的超導體材料層占低功耗的電子芯片總體分量的69%,所述的還原劑占低功耗的電子芯片總體分量的13%,所述的有色金屬合金層占低功耗的電子芯片總體分量的18%。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于永新電子常熟有限公司;,未經永新電子常熟有限公司;許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410801128.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:具有穿通電極的半導體器件
- 下一篇:光學組件及其制造方法





