[發明專利]陣列基板、顯示裝置以及陣列基板的制造方法

有效

• 申請號: 201410800496.0
• 申請日: 2014-12-19
• 公開（公告）號: CN104465511A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 郭建
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

技術領域

本發明涉及薄膜晶體管液晶顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板、顯示裝置以及陣列基板的制造方法。

背景技術

ADS是ADSDS(ADvanced?Super?Dimension?Switch)的簡稱，即高級超維場轉換技術，通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。

通常，ADS模式薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基板包括基板、透明像素電極層(通常為ITO，即上述的板狀電極)、柵金屬層、源漏金屬電極層、第二層像素電極層(通常為ITO，即為上述的狹縫狀電極)。生產中發現，ITO存在容易晶化，刻蝕困難，刻蝕速率慢的問題，為此，IZO(氧化銦鋅)的導入已經成為很多廠商的選擇。

如圖8所示，一種現有的陣列基板包括：柵電極1、柵電極1上方的柵絕緣層2、有源層3、像素電極4、源電極5以及漏電極6，其中像素電極4的材料為IZO，由于IZO以Zn為主，而源、漏金屬電極層材料通常為Mo金屬。Mo金屬的刻蝕液可以腐蝕IZO金屬，所以在制備上述ADS結構的陣列基板時，當刻蝕源漏金屬電極層時，形成像素電極4的第一層IZO會同時被腐蝕，這大大影響第一層IZO和源、漏金屬電極層的搭接效果，造成第一層IZO和源、漏金屬電極層的搭接不良。

發明內容

本發明的目的在于提供一種保證像素電極層不被腐蝕的陣列基板、顯示裝置以及陣列基板的制造方法。

本發明的陣列基板的制造方法，包括：

在有源層上方沉積像素電極層以及源漏電極層；

對所述源漏電極層對應于像素電極區域的源漏電極層進行干法刻蝕，暴露出像素電極，形成源電極、漏電極。

本發明的陣列基板的制造方法，其中，所述像素電極的材料是氧化銦鋅。

本發明的陣列基板的制造方法，其中，利用包括SF₆和Cl₂的混合氣體對所述源漏電極層對應于像素電極區域的源漏電極層進行干法刻蝕。

本發明的陣列基板的制造方法，其中，在有源層上方沉積像素電極層以及源漏電極層之后，對所述源漏電極層對應于像素電極區域的源漏電極層進行干法刻蝕，暴露出像素電極之前，進行：

在所述源漏電極層上方沉積光刻膠層；

使用灰度掩膜版進行曝光，形成光刻膠去除區域、光刻膠全保留區域和光刻膠部分保留區域，所述光刻膠去除區域與所述有源層相對應；

將光刻膠去除區域對應的像素電極層以及源漏電極層刻蝕去除，暴露出有源層；

對光刻膠全保留區域和光刻膠部分保留區域進行灰化處理，去除光刻膠部分保留區域的光刻膠，暴露出源漏電極層對應于像素電極區域的部分；且

暴露出像素電極之后，形成源電極、漏電極包括：剝離剩余光刻膠，形成像素電極的圖形、源電極以及漏電極的圖形，所述像素電極與所述漏電極連接。

本發明的陣列基板的制造方法，其中，所述將光刻膠去除區域對應的像素電極層以及源漏電極層刻蝕去除包括：使用第一刻蝕液對源漏電極層金屬進行濕法刻蝕，使用第二刻蝕液對像素電極層金屬進行濕法刻蝕，所述第一刻蝕液的橫向刻蝕速度大于第二刻蝕液的橫向刻蝕速度。

本發明的陣列基板的制造方法，其中，所述第一刻蝕液為包括HNO₃、H₂SO₄、CH₃COOH的混合物，所述第二刻蝕液為包括H₂SO₄、CH₃COOH的混合物。

本發明的陣列基板的制造方法，其中，對所述源漏電極層對應于像素電極區域的源漏電極層進行干法刻蝕，暴露出像素電極之后，剝離剩余光刻膠之前，利用包括SF₆、Cl₂和O₂的混合氣體對暴露的有源層進行干法刻蝕，以去除有源層的晶化部分。

本發明的陣列基板，包括：

形成于基板上的柵電極；

柵電極上方的柵絕緣層以及有源層；

柵絕緣層以及有源層上的像素電極；

形成于像素電極上方的源電極以及漏電極；

形成于源電極、漏電極上的保護層；

形成于保護層上的公共電極，所述像素電極的材料是氧化銦鋅，所述源電極、漏電極由源漏電極層刻蝕形成，源漏電極層的對應于像素電極區域的源漏電極層被干法刻蝕暴露形成所述像素電極。