[發(fā)明專利]陣列基板、顯示裝置以及陣列基板的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410800496.0
• 申請(qǐng)日: 2014-12-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104465511A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭建
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在有源層上方沉積像素電極層以及源漏電極層；

對(duì)所述源漏電極層對(duì)應(yīng)于像素電極區(qū)域的源漏電極層進(jìn)行干法刻蝕，暴露出像素電極，形成源電極、漏電極。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述像素電極的材料是氧化銦鋅。

3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，利用包括SF₆和Cl₂的混合氣體對(duì)所述源漏電極層對(duì)應(yīng)于像素電極區(qū)域的源漏電極層進(jìn)行干法刻蝕。

4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在有源層上方沉積像素電極層以及源漏電極層之后，對(duì)所述源漏電極層對(duì)應(yīng)于像素電極區(qū)域的源漏電極層進(jìn)行干法刻蝕，暴露出像素電極之前，進(jìn)行：

在所述源漏電極層上方沉積光刻膠層；

使用灰度掩膜版進(jìn)行曝光，形成光刻膠去除區(qū)域、光刻膠全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域，所述光刻膠去除區(qū)域與所述有源層相對(duì)應(yīng)；

將光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)的像素電極層以及源漏電極層刻蝕去除，暴露出有源層；

對(duì)光刻膠全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域進(jìn)行灰化處理，去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，暴露出源漏電極層對(duì)應(yīng)于像素電極區(qū)域的部分；且

暴露出像素電極之后，形成源電極、漏電極包括：剝離剩余光刻膠，形成像素電極的圖形、源電極以及漏電極的圖形，所述像素電極與所述漏電極連接。

5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述將光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)的像素電極層以及源漏電極層刻蝕去除包括：使用第一刻蝕液對(duì)源漏電極層金屬進(jìn)行濕法刻蝕，使用第二刻蝕液對(duì)像素電極層金屬進(jìn)行濕法刻蝕，所述第一刻蝕液的橫向刻蝕速度大于第二刻蝕液的橫向刻蝕速度。

6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第一刻蝕液為包括HNO₃、H₂SO₄、CH₃COOH的混合物，所述第二刻蝕液為包括H₂SO₄、CH₃COOH的混合物。

7.如權(quán)利要求4所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，對(duì)所述源漏電極層對(duì)應(yīng)于像素電極區(qū)域的源漏電極層進(jìn)行干法刻蝕，暴露出像素電極之后，剝離剩余光刻膠之前，利用包括SF₆、Cl₂和O₂的混合氣體對(duì)暴露的有源層進(jìn)行干法刻蝕，以去除有源層的晶化部分。

8.一種陣列基板，其特征在于，包括：

形成于基板上的柵電極；

柵電極上方的柵絕緣層以及有源層；

柵絕緣層以及有源層上的像素電極；

形成于像素電極上方的源電極以及漏電極；

形成于源電極、漏電極上的保護(hù)層；

形成于保護(hù)層上的公共電極，所述像素電極的材料是氧化銦鋅，所述源電極、漏電極由源漏電極層刻蝕形成，源漏電極層的對(duì)應(yīng)于像素電極區(qū)域的源漏電極層被干法刻蝕暴露形成所述像素電極。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求8所述的陣列基板。