[發明專利]一種硅料清洗方法

有效

• 申請號: 201410798245.3
• 申請日: 2014-12-18
• 公開（公告）號: CN105750275B
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發明（設計）人: 王雪峰;陳立軍
• 申請（專利權）人: 寧夏隆基硅材料有限公司
• 主分類號: B08B7/04
• 分類號: B08B7/04;C01B33/037
• 代理公司: 西安弘理專利事務所 61214
• 代理人: 羅笛

本發明公開的一種硅料清洗方法，包括預清洗、噴砂、清潔、超聲清洗、漂洗以及烘干這六個步驟。本發明的一種硅料清洗方法解決了現有的化學清洗方法存在的清洗品質不穩定以及清洗成本高的缺點。1.本發明采用的先噴砂，然后使用純水清洗；本行業中硅料一直使用酸洗，本發明克服了酸洗的技術偏見，清洗后的硅料完全清除了硅料表層的雜質和污物，滿足制作太陽能級單晶硅對硅料潔凈度的要求；2.清洗過程使用的是純水，清洗后的廢水無化學試劑，可直接排放，減少環境污染；3.硅料整塊清洗，避免清洗前破碎所導致的硅料損耗及挑揀所需的人工成本，提高硅料利用率；4.操作流程簡單，可管控性強，有效提高硅料清洗品質。

技術領域

本發明屬于太陽能硅材料清洗技術領域，具體涉及一種硅料清洗方法。

背景技術

在太陽能級單晶硅制備過程中，通常采用多晶硅作為原料，而硅作為不可再生資源，其儲存量有限，所以為提高其利用率及節約成本，目前將單晶硅棒在拉制、切斷、切方過程中產生的提渣蓋、頭尾料、邊皮料等硅料進行重復利用，但此部分硅料在加工、運輸、儲存的過程中表面會受到污染，其污染物主要有有機物、氧化層、金屬離子等，為保證單晶硅棒的拉制品質，此部分硅料在使用前需將表面所積存的污染物清洗干凈。

傳統的硅料清洗方法都是將整塊硅料破碎至一定尺寸，然后采用化學試劑與硅料表面反應從而去除硅料表面所粘附的臟污。例如專利號ZL2006100507257，公開號CN1947869B，公開日2007.04.18的發明專利公開了采用HF與HNO3的混合液進行清洗，其原理是將硅料表面腐蝕、剝離，從而達到去除污染物的目的，其缺點在于硅料清洗品質穩定性差，且在腐蝕的過程中會產生大量的黃色煙霧，對人體及環境危害較大，且廢水、廢氣需經過專有設施處理后才可以排放；申請號2013104089984，公開號CN103464413A，公開日2013.12.25的發明專利申請公開了采用NaOH為腐蝕液，其原理是堿溶液與硅發生反應，剝離硅料表面從而達到去除污染物的目的，其缺點在于對硅料的損耗較大，且硅料表面殘留的腐蝕液不易去除，易造成單晶拉制漏硅現象。專利號ZL2010106024139，公開號CN102010797A，公開日2010.12.23的發明專利公開了采用由三種(多種化學試劑配置而成)清洗劑配合使用的清洗方法，其原理是使硅料表面的臟污及金屬離子形成絡合物，脫離硅料表面而達到去除污染物的目的，其缺點在于流程繁瑣，所用化學試劑種類較多，加工成本較高，且所清洗的硅料有一定的局限性，對表面有氧化層的硅料無法清洗干凈。

發明內容

本發明的目的在于提供一種硅料清洗方法，解決了現有的化學清洗方法存在的清洗品質不穩定以及清洗成本高的缺點。

本發明所采用的技術方案是：一種硅料清洗方法，首先對硅料進行噴砂處理，然后對噴砂處理后的硅料使用純水清洗。

本發明的特點還在于，

該硅料清洗方法具體包括以下步驟：

步驟1)，預清洗，將硅料表面的非硅物質清除；

步驟2)，噴砂；

步驟3)，清潔，將步驟2)中的硅料表面殘留的灰塵雜物擦洗干凈；

步驟4)，超聲清洗；

步驟5)，漂洗；

步驟6)，烘干，將步驟5)中經過純水清洗后的硅料放入烘箱中進行烘干，即完成硅料清洗過程。

步驟2)具體為：將步驟1)的硅料表面進行噴砂。

步驟4)具體為：將步驟3)中擦洗過的硅料放置在注有純水的超聲機內進行超聲清洗。

步驟5)具體為：將步驟4)中經過超聲清洗的硅料放入旋轉機內進行純水清洗。

步驟2)中的噴砂介質為硅顆粒，硅顆粒的平均粒徑為0.2mm-0.6mm。