[發(fā)明專利]一種緊縮場(chǎng)天線測(cè)量同步反射點(diǎn)區(qū)域確定方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410796746.8 | 申請(qǐng)日: | 2014-12-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104535858A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-04-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬永光;馬蔚宇;楊金濤;錢(qián)冰華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京無(wú)線電計(jì)量測(cè)試研究所 |
| 主分類號(hào): | G01R31/00 | 分類號(hào): | G01R31/00 |
| 代理公司: | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人: | 張文祎 |
| 地址: | 100854 北*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 緊縮 天線 測(cè)量 同步 反射 區(qū)域 確定 方法 | ||
1.一種緊縮場(chǎng)天線測(cè)量同步反射點(diǎn)區(qū)域確定方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:
在緊縮場(chǎng)暗室中建立三維直角坐標(biāo)系;
在所述三維直角坐標(biāo)系中確定緊縮場(chǎng)饋源所在位置T;
根據(jù)所述緊縮場(chǎng)饋源的位置和測(cè)試區(qū)的位置確定緊縮場(chǎng)反射面所在位置;
分別以所述緊縮場(chǎng)饋源所在位置T與所述待測(cè)天線所在測(cè)試區(qū)內(nèi)任意一點(diǎn)到所述緊縮場(chǎng)反射面水平方向最近的位置點(diǎn)A和最遠(yuǎn)的位置點(diǎn)B作為焦點(diǎn),并分別以所述緊縮場(chǎng)饋源發(fā)射波經(jīng)所述緊縮場(chǎng)反射面到所述測(cè)試區(qū)的距離的最小值和最大值為長(zhǎng)軸長(zhǎng)度,在所述緊縮場(chǎng)暗室中構(gòu)建兩個(gè)橢球面;
所述兩個(gè)橢球面及兩橢球面之間的空間即為所述緊縮場(chǎng)天線測(cè)量同步反射點(diǎn)區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述三維直角坐標(biāo)系以所述緊縮場(chǎng)暗室任意一墻角為坐標(biāo)系原點(diǎn)O,以長(zhǎng)度方向?yàn)閄軸,以寬度方向?yàn)閅軸,以高度方向?yàn)閆軸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述三維直角坐標(biāo)系中確定緊縮場(chǎng)饋源所在位置T的步驟包括:
確定所述緊縮場(chǎng)饋源所在位置T在所述三維直角坐標(biāo)系中的三維坐標(biāo)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述根據(jù)所述緊縮場(chǎng)饋源的位置和測(cè)試區(qū)的位置確定緊縮場(chǎng)反射面所在位置的步驟包括:
根據(jù)所述緊縮場(chǎng)饋源的位置和測(cè)試區(qū)的位置確定所述緊縮場(chǎng)反射面上反射點(diǎn)M的三維坐標(biāo),所述M點(diǎn)為所述緊縮場(chǎng)反射面中軸線交點(diǎn),反射面中心高度位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述分別以所述緊縮場(chǎng)饋源所在位置T與所述待測(cè)天線所在測(cè)試區(qū)內(nèi)任意一點(diǎn)到所述緊縮場(chǎng)反射面水平方向最近的位置點(diǎn)A和最遠(yuǎn)的位置點(diǎn)B作為焦點(diǎn),并分別以所述緊縮場(chǎng)饋源發(fā)射波經(jīng)所述緊縮場(chǎng)反射面到所述測(cè)試區(qū)的距離的最小值和最大值為長(zhǎng)軸長(zhǎng)度,在所述緊縮場(chǎng)暗室中構(gòu)建兩個(gè)橢球面的步驟包括:
確定所述緊縮場(chǎng)饋源經(jīng)所述緊縮場(chǎng)反射面到測(cè)試區(qū)距離最近的位置點(diǎn)A的三維坐標(biāo),確定所述緊縮場(chǎng)饋源經(jīng)所述緊縮場(chǎng)反射面到測(cè)試區(qū)距離最遠(yuǎn)的位置點(diǎn)B的三維坐標(biāo);
計(jì)算所述緊縮場(chǎng)饋源所在位置T與所述緊縮場(chǎng)反射面上反射點(diǎn)M的距離TM;
計(jì)算所述緊縮場(chǎng)反射面上反射點(diǎn)M與所述測(cè)試區(qū)位置點(diǎn)A的距離MA;
計(jì)算所述緊縮場(chǎng)反射面上反射點(diǎn)M與所述測(cè)試區(qū)位置點(diǎn)B的距離MB;
以所述緊縮場(chǎng)饋源所在位置T、所述位置點(diǎn)A為橢球面的焦點(diǎn),以(TM+MA)為橢圓的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度,在所述緊縮場(chǎng)暗室中構(gòu)建第一橢球面;
以所述緊縮場(chǎng)饋源所在位置T、所述位置點(diǎn)B作為橢球面的焦點(diǎn),以(TM+MB)為橢圓的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度,在所述緊縮場(chǎng)暗室中構(gòu)建第二橢球面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述第一和第二橢球面以及橢球面之間的空間與所述緊縮場(chǎng)暗室各面及緊縮場(chǎng)暗室內(nèi)部空間物體相交的區(qū)域?yàn)榇郎y(cè)天線位于測(cè)試區(qū)任意位置時(shí)與所述緊縮場(chǎng)饋源發(fā)射波經(jīng)所述緊縮場(chǎng)反射面再到所述待測(cè)天線的直射波信號(hào)時(shí)間相同的所述緊縮場(chǎng)天線測(cè)量同步反射點(diǎn)區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:所述緊縮場(chǎng)天線測(cè)量同步反射點(diǎn)區(qū)域?yàn)樗鼍o縮場(chǎng)饋源發(fā)射波經(jīng)緊縮場(chǎng)內(nèi)反射點(diǎn)區(qū)域反射再被所述待測(cè)天線接收的反射信號(hào)時(shí)間與所述緊縮場(chǎng)饋源發(fā)射波經(jīng)所述緊縮場(chǎng)反射面再到達(dá)所述待測(cè)天線的直射波信號(hào)時(shí)間相同的區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:所述緊縮場(chǎng)天線測(cè)量同步反射點(diǎn)區(qū)域位于所述兩橢球面及兩橢球面之間的空間與所述緊縮場(chǎng)暗室的側(cè)墻、緊縮場(chǎng)暗室的地面、緊縮場(chǎng)暗室的屋頂、緊縮場(chǎng)暗室的前后墻或在緊縮場(chǎng)暗室內(nèi)部空間存在的物體相交的區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:該方法的步驟進(jìn)一步包括在所述緊縮場(chǎng)天線測(cè)量同步反射點(diǎn)區(qū)域內(nèi)放置吸波材料或移走位于同步反射點(diǎn)區(qū)域內(nèi)的物體。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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