[發明專利]半導體封裝用化合物、感光樹脂組成物及半導體封裝結構

在審

• 申請號: 201410794715.9
• 申請日: 2014-12-18
• 公開（公告）號: CN105762119A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發明（設計）人: 蔡永基
• 申請（專利權）人: 碁達科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;C08G73/10
• 代理公司: 上海百一領御專利代理事務所(普通合伙) 31243
• 代理人: 馬育麟

技術領域

本發明是關于一種用于半導體封裝的化合物，以及一種包含該化合物與光反應型聚酰亞胺之感光樹脂組成物及其半導體封裝結構。

背景技術

聚酰亞胺(Polyimide，PI)因其具有適用溫度廣、耐化學腐蝕、高強度、耐候性、耐輻射及優異的電氣特性等優點而被廣泛地應用于半導體工業。其應用型態以薄膜和涂料為主，主要應用在IC涂布、黏合、及封裝制程上。其中，涂布材料是作為IC的保護膜以及作為多層配線的層間絕緣層；黏貼材料則是接合IC和導線架；封裝材料則是將整個IC包在導線架上。

常見的聚酰亞胺又分為非光反應型聚酰亞胺及光反應型聚酰亞胺兩種，其中，光反應型聚酰亞胺又稱為感旋光性聚酰亞胺或光敏感性聚酰亞胺，其只對例如UV光、激光光、電子束、離子束等高能輻射具有光敏感性。故光反應型聚酰亞胺可用于需要利用顯影制程來制作電路圖形之半導體組件的制程中。當光反應型聚酰亞胺用于顯影制程中時，不同于需要在曝光顯影完成后被移除的一般光阻劑，光反應型聚酰亞胺在曝光顯影完成后會被保留在組件上，而毋需另外移除光阻劑的制程從而進一步簡化半導體組件的制程步驟。

光反應型聚酰亞胺大致上可分為正型聚酰亞胺與負型聚酰亞胺，其中，正型聚酰亞胺于曝光后，曝光區的溶解度增加，從而可利用適當的溶劑溶去曝光區的聚酰亞胺；而負型聚酰亞胺于曝光后，曝光區的溶解度降低，從而可利用適當的溶劑溶去未曝光區的聚酰亞胺。

日本東麗(Toray)公司(參見美國專利US20110284855、US20140005318)、索尼化學&信息部件股份有限公司(SONYCHEMICAL&INFORMATIONDEVICECORPORATION)(參見美國專利US8445621)皆開發出相較于傳統的光反應型聚酰亞胺材料更適用于制造半導體組件的光反應型聚酰亞胺，此些光反應型聚酰亞胺與交聯劑混合而于曝光后產生交聯反應，從而進一步利用溶解度的差異產生圖案。然而，為因應體積更加輕薄及更高辨識度的半導體的需求，需進一步開發具有改良性質的包含光反應型聚酰亞胺之感光樹脂組成物。

發明內容

有鑒于上述現有技術的問題，本發明的目的在于提出一種可用作為交聯劑以進一步提升辨識度的化合物、具有改良性質的包含該化合物與光反應型聚酰亞胺之感光樹脂組成物及其半導體封裝結構。

根據本發明之一目的，提出一種由化學式1表示的化合物：

化學式1；其中n為1～15之間的整數。

根據本發明的另一目的，提出一種感光樹脂組成物，其包含由化學式1表示的化合物、光起始劑及光反應型聚酰亞胺。

較佳的，光反應型聚酰亞胺可包含：芳香族聚酰亞胺骨架以及第一側鏈與第二側鏈，其中第一側鏈及第二側鏈各包括接枝到芳香族聚酰亞胺骨架上的(甲基)丙烯?；鶊F。

較佳的，芳香族聚酰亞胺骨架可包含由化學式1-1、化學式1-2及化學式1-3中的其一或其組合表示的重復單元A：

化學式1-1，

化學式1-2，

化學式1-3；其中Ar1為及中的其一或其組合；X為及中的其一或其組合；Y為與第一側鏈及第二側鏈鍵結之-O-；且a、a’及a”各獨立地為大于1的整數。

較佳的，光反應型聚酰亞胺可由以下化學式1-A表示：

化學式1-A。

較佳的，光反應型聚酰亞胺可由以下化學式1-B表示：

化學式1-B。

此外，本發明更提出一種半導體封裝結構，其包含半導體芯片及封裝復數個半導體芯片的絕緣層，其中絕緣層可藉由固化包含由化學式1表示的化合物、光起始劑及光反應型聚酰亞胺之感光樹脂組成物所形成。

較佳的，感光樹脂組成物中所包含的光反應型聚酰亞胺為由上述化學式1A或化學式1B所表示的光反應型聚酰亞胺。

本發明所提供的包含上述化合物與光反應型聚酰亞胺之感光樹脂組成物用于半導體組件的制造，可達到簡化半導體組件制程步驟及提高半導體組件的辨識度之目的，從而提供具有改良性質的半導體封裝結構。

附圖說明

圖1為由化學式1表示的化合物的NMR光譜圖；

圖2a為顯示根據本發明范例的實驗結果圖；

圖2b為顯示根據本發明比較例的實驗結果圖。

具體實施方式