[發(fā)明專利]集成電路及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410790417.2
• 申請日: 2014-12-17
• 公開（公告）號: CN104752419A
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發(fā)明（設計）人: 鐘元甫;胡楚威;鐘元鴻
• 申請（專利權）人: 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/324
• 代理公司: 北京萬慧達知識產(chǎn)權代理有限公司 11111
• 代理人: 張金芝;代峰

技術領域

本發(fā)明有關于一種集成電路技術，特別是有關于一種可以改善多晶硅電阻器之間電阻值不匹配的問題的集成電路及其制造方法。

背景技術

目前已經(jīng)可以通過各種已知的技術制造出集成電路，在集成電路的制造中，形成主動元件和被動元件在半導體基底例如硅晶圓上，然后依據(jù)需要的方式讓這些元件互相連接。

電阻器可通過一些熟知的技術形成在半導體基底中，在一種技術中，于半導體基底的一些區(qū)域中摻雜以n型或p型摻雜物，通過此方式可以在半導體基底中提供具有所需電阻率的導電區(qū)域，在導電區(qū)域內(nèi)的一對互相分開的位置上形成歐姆接點，并以此提供了擴散區(qū)，以這種技術形成的電阻器稱為擴散電阻器(diffused?resistor)。

在另一種技術中，于半導體基底的表面上形成絕緣層例如介電層，接著在絕緣層上形成一層多晶硅層，在多晶硅層內(nèi)摻雜以n型或p型摻雜物，這些摻雜物使得多晶硅層形成具有所需電阻率的導電區(qū)，然后在多晶硅層上的一對互相分開的區(qū)域上形成歐姆連接，以完成電阻器，以這種技術形成的電阻器稱為多晶硅電阻器(polysilicon?resistor)。

集成電路的制造過程包括退火步驟(annealing?operation)，退火步驟具有各種作用，包括活化摻雜物，以及降低離子植入對于晶格(crystal?lattice)所造成的損傷。激光掃描退火(laser?scan?annealing)是一種已知的退火技術，其相較于其他的退火技術具有許多優(yōu)點，例如相較于傳統(tǒng)的快速熱退火(rapid?thermal?annealing)、閃光燈退火(flash?annealing)或爐內(nèi)退火(furnace?annealing)等技術，激光掃描退火具有更多的優(yōu)勢，這些傳統(tǒng)的退火技術主要是用于舊的工序節(jié)點(process?node)例如100nm的節(jié)點中，而激光掃描退火技術則開始頻繁地用于先進的工序節(jié)點，例如65nm以及其以下的節(jié)點中，然而，激光掃描退火還是有其特有的缺陷機制存在。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種集成電路及其制造方法。

依據(jù)本發(fā)明一實施方式，提供一種集成電路，包括：第一多晶硅區(qū)形成在一基底上，具有第一晶粒尺寸；以及第二多晶硅區(qū)形成在該基底上，具有與該第一晶粒尺寸不同的第二晶粒尺寸。

依據(jù)本發(fā)明另一實施方式，提供一種集成電路，包括：第一多晶硅區(qū)，包括多個多晶硅電阻器，具有第一晶粒尺寸，所述第一多晶硅區(qū)形成在基底上，且位于被動元件區(qū)內(nèi)；以及第二多晶硅區(qū)，包括多個多晶硅柵極，具有與所述第一晶粒尺寸不同的第二晶粒尺寸，所述第二多晶硅區(qū)形成在所述基底上，且位于主動元件區(qū)內(nèi)。

依據(jù)本發(fā)明又一實施方式，提供一種集成電路的制造方法，包括：形成第一多晶硅區(qū)在基底上，所述第一多晶硅區(qū)具有初始晶粒尺寸；植入第一導電型的第一摻雜物以及第二摻雜物至所述第一多晶硅區(qū)內(nèi)，在所述植入工序之后，所述第一多晶硅區(qū)具有第一晶粒尺寸大于所述初始晶粒尺寸；以及對所述第一多晶硅區(qū)進行激光快速熱退火工序。

依據(jù)本發(fā)明又一實施方式，提供一種集成電路的制造方法，包括：形成第一多晶硅區(qū)在基底上，包括多個多晶硅電阻器主體，其中所述多個多晶硅電阻器主體具有初始晶粒尺寸，并且所述多個多晶硅電阻器主體圍繞主動元件區(qū)；植入第一導電型的第一摻雜物以及第二摻雜物至所述多個多晶硅電阻器主體內(nèi)，在所述植入工序之后，所述多個多晶硅電阻器主體具有第一晶粒尺寸，所述第一晶粒尺寸大于所述初始晶粒尺寸；以及以激光掃描方向移動激光光束，對所述多個多晶硅電阻器主體進行激光快速熱退火工序，其中所述激光掃描方向垂直于所述主動元件區(qū)的第一側邊和第二側邊。

本發(fā)明所提供的集成電路及其制造方法，可以有效地改善由激光快速熱退火工序所引發(fā)的多晶硅電阻器之間的電阻值不匹配的問題。

對于已經(jīng)閱讀后續(xù)由各附圖及內(nèi)容所顯示的較佳實施方式的本領域的技術人員來說，本發(fā)明的各目的是明顯的。

附圖說明

圖1為依據(jù)一些實施例，在激光快速熱退火工序期間，集成電路的局部平面示意圖；

圖2為依據(jù)一些實施例，集成電路的局部剖面示意圖，在激光快速熱退火工序期間激光光束照射多晶硅區(qū)域；以及

圖3A至3D為依據(jù)一些實施例，制造集成電路的中間階段的局部剖面示意圖。

具體實施方式