[發(fā)明專利]集成電路及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410790417.2 | 申請日： | 2014-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN104752419A | 公開（公告）日： | 2015-07-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鐘元甫;胡楚威;鐘元鴻 | 申請（專利權(quán)）人： | 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京萬慧達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11111 | 代理人： | 張金芝;代峰 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成電路 及其 制造 方法 | ||
1.一種集成電路，其特征在于，包括：
第一多晶硅區(qū)形成在一基底上，具有第一晶粒尺寸；以及
第二多晶硅區(qū)形成在該基底上，具有與該第一晶粒尺寸不同的第二晶粒尺寸。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一多晶硅區(qū)為被動(dòng)元件的一部分，所述第二多晶硅區(qū)為主動(dòng)元件的一部分，并且所述第一晶粒尺寸大于所述第二晶粒尺寸。
3.如權(quán)利要求2所述的集成電路，其特征在于，所述第一多晶硅區(qū)具有p型的第一摻雜物以及第二摻雜物植入于其中，并且所述第二摻雜物選自于第IIIA族元素和第IVA族元素中原子量大于硅原子量的元素。
4.如權(quán)利要求3所述的集成電路，其特征在于，所述第二摻雜物包括鍺、鎵或銦。
5.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述第一多晶硅區(qū)包括多晶硅電阻器，所述第二多晶硅區(qū)包括多晶硅柵極。
6.如權(quán)利要求5所述的集成電路，其特征在于，所述多晶硅電阻器和所述多晶硅柵極具有相同的第一導(dǎo)電型的第一摻雜物植入于其中，并且所述多晶硅電阻器還包括第二摻雜物植入于其中。
7.如權(quán)利要求6所述的集成電路，其特征在于，還包括淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成在所述基底內(nèi)且圍繞主動(dòng)元件，其中所述多晶硅電阻器形成在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上。
8.一種集成電路，其特征在于，包括：
第一多晶硅區(qū)，包括多個(gè)多晶硅電阻器，具有第一晶粒尺寸，所述第一多晶硅區(qū)形成在基底上，且位于被動(dòng)元件區(qū)內(nèi)；以及
第二多晶硅區(qū)，包括多個(gè)多晶硅柵極，具有與所述第一晶粒尺寸不同的第二晶粒尺寸，所述第二多晶硅區(qū)形成在所述基底上，且位于主動(dòng)元件區(qū)內(nèi)。
9.如權(quán)利要求8所述的集成電路，其特征在于，所述多個(gè)多晶硅電阻器圍繞所述主動(dòng)元件區(qū)設(shè)置，并且位于所述主動(dòng)元件區(qū)的不同側(cè)邊的所述多個(gè)多晶硅電阻器具有一致的電阻值。
10.如權(quán)利要求8所述的集成電路，其特征在于，所述第一晶粒尺寸大于所述第二晶粒尺寸。
11.如權(quán)利要求8所述的集成電路，其特征在于，所述第一多晶硅區(qū)具有p型的第一摻雜物以及第二摻雜物植入于其中，并且所述第二摻雜物選自于第IIIA族元素和第IVA族元素中原子量大于硅原子量的元素。
12.如權(quán)利要求11所述的集成電路，其特征在于，所述第二摻雜物包括鍺、鎵或銦。
13.如權(quán)利要求8所述的集成電路，其特征在于，所述多個(gè)多晶硅電阻器和所述多晶硅柵極具有相同的第一導(dǎo)電型的第一摻雜物植入于其中，并且所述多晶硅電阻器還包括第二摻雜物植入于其中。
14.如權(quán)利要求13所述的集成電路，其特征在于，還包括淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成在所述基底內(nèi)且圍繞所述主動(dòng)元件區(qū)，其中所述多個(gè)多晶硅電阻器形成在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上。
15.一種集成電路的制造方法，其特征在于，包括：
形成第一多晶硅區(qū)在基底上，所述第一多晶硅區(qū)具有初始晶粒尺寸；
植入第一導(dǎo)電型的第一摻雜物以及第二摻雜物至所述第一多晶硅區(qū)內(nèi)，在所述植入工序之后，所述第一多晶硅區(qū)具有第一晶粒尺寸大于所述初始晶粒尺寸；以及
對所述第一多晶硅區(qū)進(jìn)行激光快速熱退火工序。
16.如權(quán)利要求15所述的集成電路的制造方法，其特征在于，所述第一摻雜物包括p型摻雜物，并且所述第二摻雜物選自于第IIIA族元素和第IVA族元素中原子量大于硅原子量的元素。
17.如權(quán)利要求16所述的集成電路的制造方法，其特征在于，所述第二摻雜物包括鍺、鎵或銦。
18.如權(quán)利要求16所述的集成電路的制造方法，其特征在于，所述第二摻雜物以大于30KeV的能量和2E14/cm2至1E15/cm2的劑量植入至所述第一多晶硅區(qū)內(nèi)。
19.如權(quán)利要求16所述的集成電路的制造方法，其特征在于，所述第二摻雜物以等于50KeV或大于50KeV的能量和5E14/cm2的劑量植入至所述第一多晶硅區(qū)內(nèi)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
