[發明專利]鰭式場效應晶體管、鰭結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201410789715.X
• 申請日: 2014-12-17
• 公開（公告）號: CN105762186A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發明（設計）人: 李春龍;閆江;李俊峰;趙超
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京維澳專利代理有限公司 11252
• 代理人: 黨麗;吳蘭柱

1.一種鰭結構，其特征在于，包括：襯底上的鰭，所述鰭的上部的截面基本為矩形，所述鰭的下部的截面基本為梯形。

2.根據權利要求1所述的鰭結構，其特征在于，所述鰭的上部的高度范圍為30-40納米。

3.一種鰭式場效應晶體管，其特征在于，包括如權利要求1或2所述的鰭結構。

4.一種鰭結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在襯底上形成掩膜層；

在掩膜層的掩蔽下，進行襯底的第一刻蝕，以形成鰭的上部，所述鰭的上部的截面基本為矩形；

在掩膜層的掩蔽下，進行襯底的第二刻蝕，以形成鰭的下部，所述鰭的下部的截面基本為梯形。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，在襯底上形成第一掩膜的步驟包括：

在襯底上依次淀積第一硬掩膜層和非晶硅層；

圖案化非晶硅層；

以非晶硅層為掩蔽，圖案化第一硬掩膜層；

去除非晶硅層。

6.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，襯底為硅襯底，進行第一刻蝕的步驟包括：采用RIE的刻蝕方法，采用SF₆作為主刻蝕氣體，進行襯底的刻蝕，以形成鰭的上部，所述鰭的上部的截面基本為矩形。

7.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，襯底為硅襯底，進行第二刻蝕的步驟包括：采用RIE的刻蝕方法，采用HBr和O₂作為主刻蝕氣體，繼續進行襯底的刻蝕，以形成鰭的下部，所述鰭的下部的截面基本為梯形。

8.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述鰭的上部的高度范圍為30-40納米。

9.一種鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，采用如權利要求4-8中任一項所述的方法形成的鰭結構。