[發(fā)明專利]光學(xué)器件及其制造方法和母板的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410789625.0 | 申請(qǐng)日: | 2010-08-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104536065B | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-08-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 遠(yuǎn)藤惣銘;林部和彌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 迪睿合電子材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02B1/118 | 分類號(hào): | G02B1/118;G03F7/00 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 何欣亭,姜甜 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 器件 及其 制造 方法 母板 | ||
1.一種具有防反射功能的光學(xué)器件的制造方法,所述方法包括以下步驟:
在圓柱狀或圓筒狀的母板的圓周面上形成抗蝕層;
一邊旋轉(zhuǎn)其上形成了所述抗蝕層的所述母板并且平行于所述圓柱狀或圓筒狀的母板的中心軸相對(duì)移動(dòng)激光束的光點(diǎn),一邊間歇性地將激光束照射在所述抗蝕層上,以比可見(jiàn)光波長(zhǎng)更小的節(jié)距形成潛像;
顯影所述抗蝕層,在所述母板的表面上形成抗蝕圖案;
通過(guò)實(shí)施以所述抗蝕圖案作為掩模的蝕刻處理,在所述母板的表面上形成凹狀或凸?fàn)畹慕Y(jié)構(gòu)體;以及
使用其上形成了所述結(jié)構(gòu)體的所述母板,制備轉(zhuǎn)印有所述結(jié)構(gòu)體的光學(xué)器件,
在所述潛像的形成步驟中,所述潛像被配置為在所述母板的表面上形成多列軌跡,并形成準(zhǔn)六方點(diǎn)陣圖案、四方點(diǎn)陣圖案或準(zhǔn)四方點(diǎn)陣圖案,
所述結(jié)構(gòu)體的轉(zhuǎn)印步驟包括:
在基底上形成包含硅氧烷樹(shù)脂的樹(shù)脂層;以及
將所述母板壓在所述樹(shù)脂層上來(lái)轉(zhuǎn)印所述母板的結(jié)構(gòu)體,
所述結(jié)構(gòu)體對(duì)所述母板的表面的填充率等于或高于65%。
2.一種光學(xué)器件,是利用如權(quán)利要求1所述的光學(xué)器件的制造方法制造的光學(xué)器件,具有防反射功能,所述光學(xué)器件包括:
基底;以及
多個(gè)結(jié)構(gòu)體,由凸部或凹部形成,以等于或小于可見(jiàn)光波長(zhǎng)的微小節(jié)距配置在所述基底的表面上,
各所述結(jié)構(gòu)體被配置為在所述基底的表面上形成多列軌跡,并且形成六方點(diǎn)陣圖案、準(zhǔn)六方點(diǎn)陣圖案、四方點(diǎn)陣圖案或準(zhǔn)四方點(diǎn)陣圖案,
所述結(jié)構(gòu)體對(duì)所述基底的表面的填充率等于或高于65%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)器件,所述結(jié)構(gòu)體對(duì)所述基底的表面的填充率等于或高于73%。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)器件,所述結(jié)構(gòu)體對(duì)所述基底的表面的填充率等于或高于86%。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)器件,
各所述結(jié)構(gòu)體被配置為形成具有直線形狀的多列軌跡,并形成準(zhǔn)六方點(diǎn)陣圖案,
在所述軌跡的延伸方向上的所述結(jié)構(gòu)體的高度或深度小于在所述軌跡的列方向上的所述結(jié)構(gòu)體的高度或深度。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)器件,
各所述結(jié)構(gòu)體被配置為形成具有直線形狀的多列軌跡,并形成四方點(diǎn)陣圖案或準(zhǔn)四方點(diǎn)陣圖案,
在相對(duì)于所述軌跡延伸方向傾斜的配置方向上的所述結(jié)構(gòu)體的高度或深度小于在所述軌跡的延伸方向上的所述結(jié)構(gòu)體的高度或深度。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)器件,
在同一軌跡內(nèi)的所述結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距P1大于相鄰的兩個(gè)軌跡之間的所述結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距P2。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)器件,
各所述結(jié)構(gòu)體在所述基底的表面上形成六方點(diǎn)陣圖案或準(zhǔn)六方點(diǎn)陣圖案,
當(dāng)同一軌跡內(nèi)的所述結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為P1、相鄰的兩個(gè)軌跡之間的所述結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為P2時(shí),比率P1/P2滿足關(guān)系1.00≤P1/P2≤1.1或1.00<P1/P2≤1.1。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)器件,
所述結(jié)構(gòu)體在所述基底的表面上形成四方點(diǎn)陣圖案或準(zhǔn)四方點(diǎn)陣圖案,
當(dāng)同一軌跡內(nèi)的所述結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為P1、相鄰的兩個(gè)軌跡之間的所述結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為P2時(shí),比率P1/P2滿足關(guān)系1.4<P1/P2≤1.5。
10.一種具有防反射功能的光學(xué)器件的制備用母板的制造方法,所述方法包括以下步驟:
在圓柱狀或圓筒狀的母板的圓周面上形成抗蝕層;
一邊旋轉(zhuǎn)其上形成了所述抗蝕層的所述母板并且平行于所述圓柱狀或圓筒狀的母板的中心軸相對(duì)移動(dòng)激光束的光點(diǎn),一邊間歇性地將激光束照射在所述抗蝕層上,以比可見(jiàn)光波長(zhǎng)更小的節(jié)距形成潛像;
顯影所述抗蝕層,在所述母板的表面上形成抗蝕圖案;以及
通過(guò)實(shí)施以所述抗蝕圖案作為掩模的蝕刻處理,在所述母板的表面上形成凹狀或凸?fàn)畹慕Y(jié)構(gòu)體,
在所述潛像的形成步驟中,所述潛像被配置為在所述母板的表面上形成多列軌跡,并形成準(zhǔn)六方點(diǎn)陣圖案,
當(dāng)同一軌跡內(nèi)的所述結(jié)構(gòu)體的配置節(jié)距為P1、所述結(jié)構(gòu)體在軌跡方向上的直徑為2r時(shí),所述直徑2r與所述配置節(jié)距P1的比率(2r/P1)×100等于或高于85%。
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