[發(fā)明專利]一種衛(wèi)星導(dǎo)航電文解調(diào)方法及相應(yīng)的芯片、終端

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410788693.5
• 申請(qǐng)日: 2015-08-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104502927A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-07-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張勇;毛磊;夏糧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 泰斗微電子科技有限公司
• 主分類號(hào): G01S19/27
• 分類號(hào): G01S19/27
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種衛(wèi)星導(dǎo)航電文解調(diào)方法，其特征在于，所述方法包括，積分初始化步驟，初始化積分字緩存區(qū)，設(shè)置積分次數(shù)；幀同步步驟，接收導(dǎo)航電文，通過(guò)導(dǎo)航電文幀頭信息找到接收到的所述導(dǎo)航電文的幀邊界；導(dǎo)航電文字緩存步驟，緩存所述接收到的導(dǎo)航電文字；導(dǎo)航電文字積分步驟，比較所述導(dǎo)航電文字與積分字的極性相似度，根據(jù)所述極性相似度，提交所述導(dǎo)航電文字到所述積分字緩存區(qū)；按照所述設(shè)置的積分次數(shù)，重復(fù)所述幀同步步驟、所述導(dǎo)航電文字緩存步驟及所述導(dǎo)航電文字積分步驟；校驗(yàn)步驟，對(duì)所述積分緩存區(qū)的積分字進(jìn)行奇偶校驗(yàn)，如果校驗(yàn)通過(guò)則提交所述積分字到星歷電文表。

2.如權(quán)利要求1所述的衛(wèi)星導(dǎo)航電文解調(diào)方法，其特征在于，所述導(dǎo)航電文字積分步驟還包括，如果所述極性相似度比較結(jié)果為正極性相同的多，則提交所述導(dǎo)航電文字到所述積分緩存區(qū)；如果所述極性相似度比較結(jié)果為負(fù)極性相同的多，將所述導(dǎo)航電文字取反后提交到所述積分緩存區(qū)。

3.如權(quán)利要求1所述的衛(wèi)星導(dǎo)航電文解調(diào)方法，其特征在于，所述積分初始化步驟中設(shè)置的積分次數(shù)為奇數(shù)次。

4.如權(quán)利要求2或3中任意一項(xiàng)所述的衛(wèi)星導(dǎo)航電文解調(diào)方法，其特征在于，所述積分初始化步驟中初始化積分字緩存區(qū)的值為3，所述積分次數(shù)為3，提交所述導(dǎo)航電文字到所述積分字緩存區(qū)時(shí)，導(dǎo)航電文字對(duì)應(yīng)的bit為正極性加1，為負(fù)極性減1。

5.如權(quán)利要求2或3中任意一項(xiàng)所述的衛(wèi)星導(dǎo)航電文解調(diào)方法，其特征在于，所述積分字緩存區(qū)包括3*300個(gè)單元，每單元為4bit。

6.如權(quán)利要求2或3中任意一項(xiàng)所述的衛(wèi)星導(dǎo)航電文解調(diào)方法，其特征在于，所述校驗(yàn)步驟如果校驗(yàn)不通過(guò)則跳轉(zhuǎn)到所述積分初始化步驟。

7.一種包含如權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的衛(wèi)星導(dǎo)航電文解調(diào)方法的衛(wèi)星導(dǎo)航基帶芯片或者一體化芯片。

8.一種包含如權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的衛(wèi)星導(dǎo)航電文解調(diào)方法的衛(wèi)星導(dǎo)航終端。