[發明專利]基座旋轉是否正常的監測方法及裝卸載基片的方法有效
| 申請號: | 201410785497.2 | 申請日: | 2014-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN105789075B | 公開(公告)日: | 2019-02-19 |
| 發明(設計)人: | 趙海洋;舒曉芬 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基座 旋轉 是否 正常 監測 方法 裝卸 載基片 | ||
本發明提供一種基座旋轉是否正常的監測方法及裝卸載基片的方法,在基座上設置有判斷件,在判斷件所在基座的一側設置有判斷件檢測裝置,判斷件檢測裝置對應在基座上的判斷件檢測位置位于判斷件所在的基座圓周上,判斷件和基座表面分別位于判斷件檢測位置時判斷件檢測裝置檢測的信息不同,該監測方法至少包括:S1,對基座進行定位;S2,驅動基座旋轉判斷件旋轉至判斷件檢測位置所需的時間;S3,判斷件檢測裝置檢測當前其檢測位置處的信息,根據該信息判斷判斷件是否旋轉至檢測位置,若是,判定基座旋轉正常;若否,則判定基座旋轉異常。該基座旋轉是否正常的監測方法可以監測基座旋轉是否正常,以避免基座旋轉異常對工藝造成影響。
技術領域
本發明屬于半導體設備制造領域,具體涉及一種基座旋轉是否
正常的監測方法及裝卸載基片的方法。
背景技術
化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,以下簡稱CVD)方法是一種利用不同氣體在高溫下相互反應來制備外延薄膜層的方法。目前,通常采用自動控制的機械手進行裝卸載基片,并且在裝卸載之前需要對基座進行定位,以保證基座和機械手之間的相對位置準確,從而保證裝卸載的準確性。
目前存在一種基座原點定位系統,如圖1所示,在基座10上表面上設置有凹槽11,預設基座的原點位置為基座10的上表面上凹槽11所在位置處,該基座原點定位系統包括控制單元、驅動單元和檢測單元,其中,驅動單元用于驅動基座旋轉;檢測單元包括激光位移傳感器12,激光位移傳感器12設置在凹槽11運動軌跡(如圖中虛線所示)正上方的任意位置處,用于在基座10旋轉的過程中向基座10發送檢測信號,并接受由基座10上表面反射的信號,且將其發送至控制單元;控制單元根據該反射信號判斷檢測的基座10的當前位置是否為凹槽11所在位置,若是,該凹槽11所在位置為原點位置,基座定位之后如圖1所示的狀態,從而準確地實現基座定位。由于基座10上沿其周向均勻設置有五個片槽1~5,且基座旋轉一周的脈沖數為20000個,因此,在原點位置確定后,片槽1~5順時針旋轉至裝片位置的脈沖數即可確定,分別為2000、6000、10000、14000和18000個,從而可以在其旋轉至裝片位置時對其裝載基片。
然而,在實際應用中不可避免地會存在以下技術問題:由于驅動單元和基座通過石英件連接在一起,即二者不是硬連接,因此,驅動單元驅動基座旋轉的過程中,往往會存在基座與驅動單元未同步旋轉的問題,例如,驅動單元的旋轉電機轉了2000個脈沖,而基座僅轉了1800個脈沖,這會導致片槽未旋轉至裝片位置,即,片槽與裝片位置存在偏差,在這種情況下,繼續依次進行裝載基片、沉積工藝和機械手卸載基片,不僅會造成機械手在卸載基片的過程中取片困難,而且會容易造成基片在沉積工藝之前就出現碎片而導致廢片,從而造成產率低、工藝的可靠性差以及基片的浪費。
因此,目前亟需一種基座旋轉是否正常的監測方法,以避免基座旋轉異常對工藝的影響。
發明內容
本發明旨在解決現有技術中存在的技術問題,提供了一種基座旋轉是否正常的監測方法及裝卸載基片的方法,其可以監測基座是否旋轉異常,從而可以避免基座旋轉異常對工藝的影響,進而可以工藝的穩定性和可靠性。
本發明提供一種基座旋轉是否正常的監測方法,所述基座的周向上間隔設置有多個用于承載基片的承載位,在所述基座上設置有判斷件,在所述判斷件所在基座的一側設置有判斷件檢測裝置,所述判斷件檢測裝置的判斷件檢測位置位于所述判斷件所在的基座圓周上,所述判斷件和所述基座表面分別位于所述判斷件檢測位置時所述判斷件檢測裝置檢測的信息不同;該監測方法至少包括以下步驟:步驟S1,對所述基座進行定位;步驟S2,驅動所述基座旋轉所述判斷件旋轉至所述判斷件檢測位置所需的時間;步驟S3,所述判斷件檢測裝置檢測所述判斷件檢測位置處的信息,根據該信息判斷所述判斷件是否旋轉至所述判斷件檢測位置,若是,則進入步驟S4;若否,則進入步驟S5;步驟S4,判定所述基座旋轉正常;步驟S5,判定所述基座旋轉異常。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





