[發(fā)明專利]具有嵌入部件的集成電路封裝系統(tǒng)及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410784761.0 | 申請日: | 2014-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN104716057B | 公開(公告)日: | 2018-12-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 田東柱;樸敬熙;盧泳達(dá);鄭鉁熙 | 申請(專利權(quán))人: | 星科金朋有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 新加坡*** | 國省代碼: | 新加坡;SG |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 嵌入 部件 集成電路 封裝 系統(tǒng) 及其 制造 方法 | ||
1.一種集成電路封裝系統(tǒng)的制造方法,其特征在于,該方法包括:
在部件上形成嵌入材料;
將掩模層沉積在所述嵌入材料上;
將所述掩模層圖案化;
將掩埋圖案沉積在所述掩模層中,所述掩埋圖案的外表面與所述掩模層的外表面共面,所述掩埋圖案電氣連接至所述部件;
在所述掩埋圖案的一部分上形成圖案化電介質(zhì);以及
將集成電路管芯安裝在所述掩埋圖案上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述嵌入材料是預(yù)浸漬材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中:
沉積所述掩埋圖案包括,沉積具有掩埋接觸焊盤的所述掩埋圖案;以及
形成所述圖案化電介質(zhì)包括,形成所述圖案化電介質(zhì),使所述掩埋接觸焊盤暴露出來。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其進(jìn)一步包括:在所述嵌入材料上形成導(dǎo)電圖案,所述導(dǎo)電圖案電氣連接至所述部件的與所述掩埋圖案相反的一側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其進(jìn)一步包括:形成將所述掩埋圖案電氣連接至所述部件的嵌入式部件過孔。
6.一種集成電路封裝系統(tǒng),包括:
在部件上的嵌入材料;以及
在所述嵌入材料上的掩模層;
其特征在于,所述集成電路封裝系統(tǒng)還包括:
在所述掩模層中的掩埋圖案,所述掩埋圖案的外表面與所述掩模層的外表面共面,所述掩埋圖案電氣連接至所述部件;
在所述掩埋圖案的一部分上的圖案化電介質(zhì);以及
在所述掩埋圖案上的集成電路管芯。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),其中,所述嵌入材料是預(yù)浸漬材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),其中,所述掩埋圖案具有暴露在所述圖案化電介質(zhì)外的掩埋接觸焊盤。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),其進(jìn)一步包括在所述嵌入材料上的導(dǎo)電圖案,所述導(dǎo)電圖案電氣連接至所述部件的與所述掩埋圖案相反的一側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng),其進(jìn)一步包括嵌入式部件過孔,所述嵌入式部件過孔將所述掩埋圖案電氣連接至所述部件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





