[發明專利]有機發光顯示裝置

在審

• 申請號: 201410784278.2
• 申請日: 2014-12-16
• 公開（公告）號: CN104716160A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發明（設計）人: 尹柱元;李承珉;李一正;李正浩;任忠烈;沈秀妍
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種有機發光顯示裝置，包括：

基板；

有源層，設置在所述基板上并包括源極區域、溝道區域和漏極區域；

第一絕緣層，設置在所述基板和所述有源層上；

柵極電極，設置在所述第一絕緣層上；

第二絕緣層，設置在所述第一絕緣層上并被圖案化為暴露發光區域中的所述第一絕緣層；

源極電極和漏極電極，設置在所述第二絕緣層上并設置為經由形成在所述第二絕緣層和所述第一絕緣層中的接觸孔而與所述有源層接觸；

第一電極，設置在所述發光區域的所述第一絕緣層上，使得所述第一電極與所述源極電極或所述漏極電極接觸，并包括透明導電層和透反導電層；

第三絕緣層，設置在所述第二絕緣層上，并被圖案化為暴露所述發光區域中的所述第一電極；

有機薄膜層，設置在所述發光區域的暴露的第一電極上；以及

第二電極，設置在所述有機薄膜層上。

2.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中所述基板包括具有大于或等于90％的透射率的玻璃、石英和樹脂中的一種。

3.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中所述有源層包括多晶硅或氧化物半導體。

4.如權利要求3所述的有機發光顯示裝置，其中所述氧化物半導體包括氧化鋅(ZnO)。

5.如權利要求4所述的有機發光顯示裝置，其中所述氧化物半導體用鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)、鋯(Zr)、鉿(Hf)和釩(V)中的至少一種的離子摻雜。

6.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，還包括：

電容器的下電極，在所述有源層的一側由與所述有源層相同的材料或層形成在所述基板上；以及

電容器的上電極，在所述柵極電極的一側設置在所述第一絕緣層上并與所述下電極重疊。

7.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，還包括：

焊盤部分，在所述源極電極或所述漏極電極的一側設置在所述第二絕緣層上，

其中所述焊盤部分包括導電層、所述透明導電層和所述透反導電層，所述導電層包括與所述源極電極、所述漏極電極相同的材料。

8.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中所述透明導電層包括具有大于或等于90％的透射率的銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)、鎢摻雜的銦氧化物(IWO)中的一種。

9.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中所述透反導電層包括具有在從5％至60％的范圍內的反射率的鋁(Al)、鎳(Ni)和鑭(La)中的一種或其合金。

10.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中所述透反導電層具有在從至的范圍內的厚度。

11.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中所述第一電極通過堆疊所述透明導電層、所述透反導電層和所述透明導電層而形成。

12.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中所述第二電極包括具有比所述第一電極低的功函數的金屬或包含所述金屬的合金。

13.如權利要求12所述的有機發光顯示裝置，其中所述金屬包括鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)和鎂(Mg)中的一種。

14.一種有機發光顯示裝置，包括：

基板；

有源層，設置在所述基板上并包括源極區域、溝道區域和漏極區域；

第一絕緣層，設置在所述基板和所述有源層上；

柵極電極，設置在所述第一絕緣層上；

第二絕緣層，設置在所述第一絕緣層上且圖案化為暴露發光區域中的所述第一絕緣層；

源極電極和漏極電極，設置在所述第二絕緣層上，設置為經由形成在所述第二絕緣層和所述第一絕緣層中的接觸孔而與所述有源層接觸，并包括透明導電層和透反導電層；

第一電極，設置在所述發光區域的所述第一絕緣層上，使得所述第一電極與所述源極電極或所述漏極電極接觸，并包括所述透明導電層和所述透反導電層；

第三絕緣層，設置在所述第二絕緣層和所述第一電極上并被圖案化為暴露所述發光區域中的所述第一電極；

有機薄膜層，設置在所述發光區域的暴露的第一電極上；以及

第二電極，設置在所述有機薄膜層上。