[發明專利]有機發光顯示裝置在審
| 申請號: | 201410784278.2 | 申請日: | 2014-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN104716160A | 公開(公告)日: | 2015-06-17 |
| 發明(設計)人: | 尹柱元;李承珉;李一正;李正浩;任忠烈;沈秀妍 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 王新華 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明的實施例涉及一種底發射型有機發光顯示裝置。
背景技術
當預定的電壓施加到有機發光二極管的陽極電極和陰極電極時,通過陽極注入的空穴和通過陰極注入的電子在有機發光二極管的有機發光層中復合,并且光通過在此過程中產生的能量差而被發射。
由于有機發光二極管是自發光的,所以有機發光顯示裝置可以被制造為具有底發射結構和頂發射結構,在底發射結構中所發射的光朝向其中形成薄膜晶體管(TFT)的基板運動,在頂發射結構中所發射的光從TFT的上部向上運動。
在底發射結構中,由于光朝向其中形成TFT的基板運動,所以包括TFT的配線部分從顯示區域排除,而在頂發射結構中,光從TFT向上發射,可以保證相對大的顯示區域。
然而,相對于底發射結構,頂發射結構在制造工藝期間需要大量的掩模,因此近來就降低制造成本來說偏向于采用底發射結構。
發明內容
本發明的一個實施例涉及能夠降低制造成本的有機發光顯示裝置。
本發明的一個實施例涉及能夠提高發光效率和可靠性的有機發光顯示裝置。
有機發光顯示裝置的一個實施例包括:基板;有源層,設置在基板上且包括源極區域、溝道區域和漏極區域;第一絕緣層,設置在基板和有源層上;柵極電極,設置在第一絕緣層上;第二絕緣層,設置在第一絕緣層上且圖案化為暴露發光區域中的第一絕緣層;源極電極和漏極電極,設置在第二絕緣層上且設置為通過形成在第二絕緣層和第一絕緣層中的接觸孔而與有源層接觸;第一電極,設置在發光區域的第一絕緣層上,使得第一電極與源極電極或漏極電極接觸,并包括透明導電層和透反導電層(transflective?conductive?layer);第三絕緣層,設置在第二絕緣層上,并被圖案化為暴露發光區域中的第一電極;有機薄膜層,設置在發光區域的暴露的第一電極上;以及第二電極,設置在有機薄膜層上。
有機發光顯示裝置的一個實施例包括:基板;有源層,設置在基板上且包括源極區域、溝道區域和漏極區域;第一絕緣層,設置在基板和有源層上;柵極電極,設置在第一絕緣層上;第二絕緣層,設置在第一絕緣層上且圖案化為暴露發光區域中的第一絕緣層;源極電極和漏極電極,設置在第二絕緣層上,設置為通過形成在第二絕緣層和第一絕緣層中的接觸孔而與有源層接觸,并包括透明導電層和透反導電層;第一電極,設置在發光區域的第一絕緣層上,使得第一電極與源極電極或漏極電極接觸,并包括透明導電層和透反導電層;第三絕緣層,設置在第二絕緣層上,并被圖案化為暴露發光區域中的第一電極;有機薄膜層,設置在發光區域的暴露的第一電極上;以及第二電極,設置在有機薄膜層上,
基板可以包括具有大于或等于約90%的透射率的玻璃、石英和樹脂中的一種。
有源層可以包括多晶硅或氧化物半導體。氧化物半導體可以包括氧化鋅(ZnO),并可以用鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)、鋯(Zr)、鉿(Hf)和釩(V)中的至少一種的離子摻雜。
有機發光顯示裝置還可以包括:電容器的下電極,在有源層的一側由與有源層相同的材料或層形成在基板上;以及電容器的上電極,在柵極電極的一側設置在第一絕緣層上以與下電極重疊。
有機發光顯示裝置還可以包括:焊盤部分,在源極電極或漏極電極的一側設置在第二絕緣層上,其中焊盤部分可以包括導電層,該導電層包括與源極電極、漏極電極、透明導電層和透反導電層相同的材料。
透明導電層可以包括具有大于或等于約90%的透射率的銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)和鎢摻雜的銦氧化物(IWO)中的一種。
透反導電層可以包括具有在從約5%至約60%的范圍內的反射率的鋁(Al)、鎳(Ni)和鑭(La)當中的金屬中的一種或其合金,并可以形成為具有從約至約的范圍內的厚度。
第一電極可以通過堆疊透明導電層、透反導電層和透明導電層而形成。第二電極可以包括具有比第一電極低的功函數的金屬或包含該金屬的合金。該金屬可以包括鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)和鎂(Mg)中的一種。
附圖說明
在下文將參照附圖更充分地描述某些實施例;然而,它們可以以不同的形式實施,而不應被解釋為限于這里闡述的實施例。相反,提供這些實施例使得本公開將透徹和完整,并向本領域技術人員充分傳達某些實施例的范圍。
在附圖中,為了清楚起見,尺寸可以被夸大。將理解,當一元件被稱為“在”兩個元件“之間”時,它可以是在兩個元件之間的唯一的元件,或者還可以存在一個或多個插入元件。相同的附圖標記通常始終指代相同的元件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





