[發明專利]發光裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 201410782862.4 | 申請日: | 2014-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN105762265A | 公開(公告)日: | 2016-07-13 |
| 發明(設計)人: | 陳冠位;陳邇浩;陳建州;徐子健 | 申請(專利權)人: | 財團法人工業技術研究院 |
| 主分類號: | H01L33/64 | 分類號: | H01L33/64;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;常大軍 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及發光裝置制造技術,特別涉及一種具導通孔的散熱基板的發光裝置及其制造方法。
背景技術
任何封裝后的電子組件,當輸入電源使電子組件產生輸出信號,經一段時間后,電子組件必定產生熱源,假如沒有適當的散熱路徑或方法,電子組件效能勢必會衰退或瞬間損壞,因而如何解決熱源產生的問題,對本領域而言將是一個非常重要的議題。
在所有的電子組件中,以發光二極管組件(LED)對于熱源為最棘手問題,目前對于LED的亮度與效率不斷提升的同時,也提高了熱源產生量,假如缺乏適當的散熱路徑,散掉熱源而使溫度下降,LED的效率與亮度勢必衰退,甚至導致LED的損壞,由此可知,在追求高效率、高亮度的LED組件時,散熱問題將是影響LED壽命的關鍵因素。以氮化鎵(GaN)藍光LED為例,GaN藍光LED的基板為藍寶石(Al2O3,sapphire),屬于一種高硬度、高絕緣但是不導熱的基板,故會影響散熱,以目前最常用的散熱方式,就是將藍寶石基板以銅基板取代,以增加其導熱性,但由于銅屬于導體,銅基板易產生翹曲,故工藝上難度將會提高。
因此,需要找出一種LED散熱機制,使得追求高效率、高亮度的LED組件的同時,可降低LED熱源的影響,更重要的,若能采用高硬度和高絕緣的基板,將無需采用絕緣層以及避免易翹曲等問題,此將成為本技術領域的人士所亟欲解決的技術課題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種發光裝置及其制造方法,通過于導通孔填入高導熱金屬,將可提供發光裝置有效的散熱路徑。
本發明的發光裝置,包括:一基板,其形成有至少一導通孔,且該至少一導通孔內具有金屬;一金屬布線層,其形成于該基板上;以及一發光二極管,其通過焊墊貼合于該金屬布線層。
此外,本發明還提供一種發光裝置的制造方法,包括:提供一基板;于該基板中形成至少一導通孔;將金屬填入該至少一導通孔內;于該基板上形成金屬布線層;以及將發光二極管通過焊墊貼合于該金屬布線層。
由上述內容可知,本發明的發光裝置及其制造方法,利用高硬度、高絕緣、高散熱的基板,于該基板形成導通孔并填入高導熱金屬,藉此解決發光裝置的散熱問題,其中,高導熱金屬除了可以當成散熱的路徑外,也可作為信號的傳送路徑輸入端,通過上述設計,可提供發光裝置有效散熱,故可降低因過熱導致的LED效率不佳與亮度衰退,甚至是LED的損壞,將有助于提高LED的壽命。
以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細描述,但不作為對本發明的限定。
附圖說明
圖1為本發明所提出的發光裝置的剖視圖;
圖2為說明本發明的發光裝置的散熱示意圖;
圖3A-圖3E為說明本發明的發光裝置的制造流程;
圖4A和圖4B為說明本發明的發光裝置一變形實施例的剖視圖;
圖5A和圖5B為說明本發明的發光裝置另一變形實施例的剖視圖;
圖6A和圖6B為說明本發明的發光裝置又一變形實施例的剖視圖;
圖7為說明本發明的發光裝置一具體實施例的剖視圖;
圖8為顯示以陣列結構方式形成本發明的發光裝置的示意圖;
圖8A為圖8的上視圖;
圖8B為圖8的下視圖。
其中,附圖標記
1發光裝置
11基板
111導通孔
112金屬材料
12、12’金屬布線層
13發光二極管
14、14’焊墊
15金屬
21、22、23路徑
46、66承載基板
47、57、67焊墊
68金屬層
79光杯
791反射鏡面
800切割走道
w寬度
S芯片與芯片間的信號
具體實施方式
以下藉由特定的具體實施例說明本發明的實施方式,熟悉此技術的人士可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發明的其它優點與功效,也可藉由其它不同的具體實施例加以施行或應用。
圖1為本發明所提出的發光裝置的剖視圖。如該圖所示,本發明的發光裝置1包括:基板11、金屬布線層12以及發光二極管13。于基板11中形成有至少一導通孔111,且該至少一導通孔內充填金屬15,金屬布線層12形成于該基板11上,而發光二極管13通過焊墊14貼合于金屬布線層12。如圖1所示,上下結構呈對稱結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于財團法人工業技術研究院,未經財團法人工業技術研究院許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410782862.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種具有導熱層的發光二極管及其制備方法
- 下一篇:具有遮光罩的芯片封裝





