[發明專利]形成二氧化硅基層的組成物及制造二氧化硅基層的方法

有效

• 申請號: 201410779783.8
• 申請日: 2014-12-16
• 公開（公告）號: CN105315679B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 裵鎮希;郭澤秀;李漢松;趙娟振;黃丙奎;金補宣;樸璽美;樸銀秀;徐珍雨;任浣熙;張俊英;韓權愚
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: C08L83/16
• 分類號: C08L83/16;C09D1/00;H01L21/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

本發明提供一種形成二氧化硅基層的組成物及制造二氧化硅基層的方法，所述形成二氧化硅基層的組成物，包含：選自氫化聚硅氮烷、氫化聚環氧硅氮烷或它們的組合的二氧化硅基化合物；以及溶劑，其中，具有0.2μm到1μm粒子直徑的粒子的數目少于或等于10/mL。本發明提供的用以形成二氧化硅基層的組成物可以減少粒子的產生，因此能極小化形成的層中的缺陷。

相關申請的交叉引用

本發明要求2014年5月26日在韓國專利局所申請的韓國專利發明第10-2014-0063293號的優先權與利益，其全部內容通過參照方式并入本發明中。

技術領域

本發明涉及一種形成二氧化硅基層的組成物以及制造二氧化硅基層的方法。

背景技術

由于半導體技術的加速發展，在高積集度與高速半導體存儲胞的研發上，已經進行了：藉由增加具有更小尺寸的半導體芯片的積集度而提升效能。這些半導體存儲胞中，例如，可使用動態隨機存取存儲體(DRAM)。DRAM能夠隨意地輸入和輸出信息，并且可實現大容量。

DRAM可以包含：例如，多個單元胞，此單元胞包含一個MOS電晶體與一個電容。電容可以包含：兩個電極與一個位在兩電極間的介電層。此電容可以依照例如介電常數、介電層的厚度、電極面積等等而得到各種電容值。

當半導體芯片的尺寸減小時，其中的電容尺寸也會隨之減小。然而，這較小的電容仍需要有足夠的儲存容量。例如，藉由增加垂直面積替代減少水平面積以增加整體的主動區，可以使電容具有更大的電容量。當這個方法被用于制造電容時，可使用藉由使用鑄模(mold)且在鑄模上的間隙中填入用以形成二氧化硅基層的組成物所形成的二氧化硅基層，以有效地形成比窄的水平面積相對高的電極。

發明內容

本發明的一實施例提供一種用以形成能夠極小化缺陷(defect)的二氧化硅基層的組成物。

本發明的另一實施例提供一種利用用以形成二氧化硅基層的組成物來制造二氧化硅基層的方法。

根據本發明的一實施例，提出一種用以形成二氧化硅基層的組成物，包括：含有氫化聚硅氮烷(polysilazane)、氫化聚環氧硅氮烷(polysiloxazane)或是它們的組合的二氧化硅基化合物；以及溶劑；其中，具有約0.2μm到約1μm粒子直徑的粒子的數目是少于或等于10/mL。

粒子的數目可以少于或等于約8/mL。

二氧化硅基化合物可以包括：含有以下面的化學式1表示的部分(moiety)的氫化聚硅氮烷。

[化學式1]

在上述的化學式1中，R₁到R₃各自是：氫、經取代或未經取代的C1到C30烷基(alkyl)基團、經取代或未經取代的C3到C30環烷基(cycloalkyl)基團、經取代或未經取代的C6到C30芳基(aryl)基團、經取代或未經取代的C7到C30芳烷基(arylalkyl)基團、經取代或未經取代的C1到C30雜烷基(heteroalkyl)基團、經取代或未經取代的C2到C30雜環烷基(heterocycloalkyl)基團、經取代或未經取代的C2到C30烯基(alkenyl)基團、經取代或未經取代的烷氧基(alkoxy)基團、羧基(carboxyl)基團、醛基(aldehyde)基團、羥基(hrdroxy)基團或是它們的組合。

二氧化硅基化合物可以包括：還含有以下面的化學式2表示的部分的氫化聚硅氮烷。

[化學式2]