[發(fā)明專利]形成二氧化硅基層的組成物及制造二氧化硅基層的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410779783.8
• 申請日: 2014-12-16
• 公開（公告）號: CN105315679B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 裵鎮(zhèn)希;郭澤秀;李漢松;趙娟振;黃丙奎;金補宣;樸璽美;樸銀秀;徐珍雨;任浣熙;張俊英;韓權(quán)愚
• 申請（專利權(quán)）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: C08L83/16
• 分類號: C08L83/16;C09D1/00;H01L21/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種用以形成二氧化硅基層的組成物，包括：

二氧化硅基化合物，包括氫化聚硅氮烷、氫化聚環(huán)氧硅氮烷或它們的組合；以及

溶劑；

其中，具有0.2μm到1μm粒子直徑的粒子的數(shù)目少于或等于10/mL，

其中所述氫化聚硅氮烷具有22,000到200,000的重量平均分子量，

其中在所述用以形成二氧化硅基層的組成物的總量基礎(chǔ)上，所述二氧化硅基化合物占0.1到50重量％的量，

其中所述氫化聚硅氮烷包括以下列化學(xué)式1表示的部分：

[化學(xué)式1]

在所述化學(xué)式1中，R₁到R₃各自是：氫、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30烷基基團、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3到C30環(huán)烷基基團、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30芳基基團、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7到C30芳烷基基團、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30雜烷基基團、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30雜環(huán)烷基基團、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30烯基基團、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷氧基基團、羧基基團、醛基基團、羥基基團或是它們的組合，

其中所述氫化聚環(huán)氧硅氮烷包括以下列化學(xué)式2表示的部分：

[化學(xué)式2]

在所述化學(xué)式2中，R₄到R₇各自是：氫、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30烷基基團、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C3到C30環(huán)烷基基團、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C6到C30芳基基團、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C7到C30芳烷基基團、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C1到C30雜烷基基團、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30雜環(huán)烷基基團、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C2到C30烯基基團、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷氧基基團、羧基基團、醛基基團、羥基基團或是它們的組合，且

其中所述氫化聚硅氮烷或所述氫化聚環(huán)氧硅氮烷在末端包括以下列化學(xué)式3表示的部分，在所述氫化聚硅氮烷或所述氫化聚環(huán)氧硅氮烷的結(jié)構(gòu)的硅-氫鍵的總量基礎(chǔ)上，所述部分占15到35重量％的量：

[化學(xué)式3]

*-SiH₃。

2.如權(quán)利要求1所述的用以形成二氧化硅基層的組成物，其中所述粒子的數(shù)目少于或等于8/mL。

3.如權(quán)利要求1所述的用以形成二氧化硅基層的組成物，其中，所述氫化聚環(huán)氧硅氮烷具有0.2到3重量％的氧含量。

4.一種制造二氧化硅基層的方法，包括：

在基底上涂布如權(quán)利要求1到3任一項所述的用以形成二氧化硅基層的組成物；

干化涂布有所述用以形成二氧化硅基層的組成物的所述基底；以及

在溫度大于或等于200℃的惰性氣體環(huán)境中，固化所述基底。

5.如權(quán)利要求4所述的制造二氧化硅基層的方法，其中，涂布所述用以形成二氧化硅基層的組成物的方法是旋轉(zhuǎn)涂布法。