[發(fā)明專利]一種改善多晶硅酸制絨后硅片表面晶格發(fā)亮的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410779551.2 | 申請日： | 2014-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN105762223A | 公開（公告）日： | 2016-07-13 |
| 發(fā)明（設計）人： | 李祥 | 申請（專利權）人： | 浙江鴻禧能源股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 314205 浙江省嘉*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 多晶 硅酸 制絨后 硅片 表面 晶格 發(fā)亮 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改善多晶硅酸制絨后硅片表面晶格發(fā)亮的方法，其特征在于，包括如下步驟：
（1）在多晶硅制絨工藝的堿槽中加入適量BDG（二乙二醇單丁醚）；
（2）將硅片依次經過自動上料、制絨槽、漂洗槽、堿洗槽、漂洗槽、酸洗槽、漂洗槽、風干工序。
2.根據權利要求1所述的一種改善多晶硅酸制絨后硅片表面晶格發(fā)亮的方法，其特征在于：所述的步驟（1）中適量BDG的體積濃度為1±0.5%。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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