[發明專利]提高第三軸感應能力的磁傳感器及其制備工藝

有效

• 申請號: 201410778540.2
• 申請日: 2014-12-15
• 公開（公告）號: CN104483637B
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 楊鶴俊;張挺;王宇翔;邱鵬
• 申請（專利權）人: 上海矽睿科技有限公司
• 主分類號: G01R33/02
• 分類號: G01R33/02
• 代理公司: 上海金盛協力知識產權代理有限公司31242
• 代理人: 王松

1.一種提高第三軸感應能力的磁傳感器的制備工藝，其特征在于，所述制備工藝包括如下步驟：

步驟S1、在基底上形成溝槽陣列；

步驟S2、沉積第一磁性材料，形成第一磁性材料層；

步驟S3、沉積第一介質材料，形成第一介質材料層；

步驟S4、沉積第二介質材料，形成第二介質材料層；

步驟S5、通過光刻工藝，形成磁傳感單元圖形；所述步驟S5中，生成磁傳感單元的圖形，形成感應單元的磁材料層，同時通過溝槽的應用形成導磁單元，即在單芯片上形成三軸傳感器；

所述導磁單元的主體部分設置于溝槽內，用以收集第三方向的磁信號，并將該磁信號輸出給感應單元；所述感應單元靠近溝槽設置，用以接收所述導磁單元輸出的第三方向的磁信號，并根據該磁信號測量出第三方向對應的磁場強度及磁場方向；

所述導磁單元包括第一導磁單元、第二導磁單元，第一導磁單元為沉積的第一磁性材料而后經步驟S5光刻形成；第二導磁單元為沉積第二磁性材料而后經步驟S8刻蝕形成；

步驟S6、沉積第三介質材料，形成第三介質材料層，溝槽被部分填充；

步驟S7、沉積第二磁性材料，形成第二磁性材料層；

步驟S8、通過刻蝕工藝回刻平面上的部分或全部第二磁性材料層,保留溝槽里面的第二磁性材料；

步驟S9、沉積第四介質材料，形成第四介質材料層；

步驟S10、制造通孔和電極。

2.根據權利要求1所述的提高第三軸感應能力的磁傳感器的制備工藝，其特征在于：

所述制備工藝還包括：

制備第一磁傳感器、第二磁傳感器的步驟，第一磁傳感器、第二磁傳感器分別用以感應與基底表面平行的第一方向、第二方向，第一方向、第二方向相互垂直。

3.根據權利要求2所述的提高第三軸感應能力的磁傳感器的制備工藝，其特征在于：

所述第一方向為X軸方向，第二方向為Y軸方向，第三軸為Z軸方向。

4.根據權利要求1所述的提高第三軸感應能力的磁傳感器的制備工藝，其特征在于：

第一磁性材料與第二磁性材料相同，或者不同。

5.根據權利要求1至4之一所述的提高第三軸感應能力的磁傳感器的制備工藝，其特征在于：

所述第一磁性材料或/和第二磁性材料為AMR材料，或為GMR材料，或為TMR材料。

6.根據權利要求1至4之一所述的提高第三軸感應能力的磁傳感器的制備工藝，其特征在于：

所述第一磁性材料或/和第二磁性材料為鎳鐵合金。

7.根據權利要求1至4之一所述的提高第三軸感應能力的磁傳感器的制備工藝，其特征在于：

基底含有CMOS電路，或者不含CMOS電路。