[發(fā)明專利]一種薄膜圖案化的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410776113.0 | 申請日: | 2014-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN104460227B | 公開(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張磊;羅祝義;孟祥明;尹鎮(zhèn)鎬;郭建強(qiáng);廖洪林 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/76 | 分類號: | G03F1/76;G03F7/00;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 230012 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光刻膠 半固化 固化區(qū) 掩膜版 曝光 薄膜圖案 薄膜層 感光 薄膜層圖案 光刻膠剝離 成膜缺陷 開口區(qū)域 曝光不足 基板 刻蝕 顯影 線寬 覆蓋 制作 | ||
本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜圖案化的方法,涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,能夠解決制作線寬較小的薄膜層圖案時(shí),由于掩膜版開口區(qū)域較小,使得曝光不足,而引起的成膜缺陷。所述方法包括在基板的表面依次形成薄膜層和光刻膠;通過掩膜版對光刻膠進(jìn)行第一次曝光,形成第一半固化區(qū),第一半固化區(qū)光刻膠的曝光的能量小于光刻膠的感光閾值;通過掩膜版對光刻膠進(jìn)行第二次曝光,在第一半固化區(qū)上形成固化區(qū);其中,固化區(qū)的寬度小于第一半固化區(qū)的寬度,固化區(qū)光刻膠的曝光的能量大于等于光刻膠的感光閾值;將光刻膠進(jìn)行顯影;對未被光刻膠覆蓋的薄膜層刻蝕;將固化區(qū)的光刻膠剝離。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種薄膜圖案化的方法。
背景技術(shù)
TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管-液晶顯示器)作為一種平板顯示裝置,因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等特點(diǎn),而越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。
TFT-LCD由相互對盒的彩膜基板和陣列基板構(gòu)成。其中,陣列基板上具有多條橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線,所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉界定多個(gè)像素單元。其中,像素單元的個(gè)數(shù)與液晶顯示器的分辨率有關(guān)。為了滿足液晶顯示器高分辨率的發(fā)展趨勢,需要增加單位尺寸內(nèi)像素單元的數(shù)量,同時(shí)柵線、數(shù)據(jù)線或其他位于陣列基板和彩膜基板上的薄膜層圖案的線寬越來越小。例如,當(dāng)液晶顯示器的分辨率從200PPI(Pixels Per Inch,每英寸所擁有的像素?cái)?shù)目)提升至300PPI時(shí),數(shù)據(jù)線的線寬需要從4um降低到2-3um。
現(xiàn)有技術(shù)中,可以采用掩膜曝光、顯影工藝制作上述薄膜層圖案。當(dāng)薄膜層圖案的線寬需要減小時(shí),可以通過減小掩膜版的開口區(qū)域的尺寸來實(shí)現(xiàn)。然而,對于高分辨率的顯示器而言,由于薄膜層圖案的線寬過于小,因此掩膜版的開口區(qū)域的尺寸也會很小。這樣一來,就會導(dǎo)致曝光過程中,透過開口區(qū)域的光線的數(shù)量減小,產(chǎn)生曝光不足的現(xiàn)象,進(jìn)而導(dǎo)致形成的薄膜層圖案出現(xiàn)大面積的缺失,或者薄膜層圖案邊界處的坡度成型度較差等成膜缺陷的產(chǎn)生,從而降低了產(chǎn)品的質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種薄膜圖案化的方法,能夠解決制作線寬較小的薄膜層圖案時(shí),由于掩膜版開口區(qū)域較小,使得曝光不足而引起的成膜缺陷。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
本發(fā)明實(shí)施例的一方面,提供一種薄膜圖案化的方法,包括:
在基板的表面涂覆一層薄膜層;
在所述薄膜層的表面涂覆光刻膠;
通過掩膜版對所述光刻膠進(jìn)行第一次曝光,形成第一半固化區(qū),所述第一半固化區(qū)光刻膠的曝光的能量小于所述光刻膠的感光閾值;
通過所述掩膜版對所述光刻膠進(jìn)行第二次曝光,在所述第一半固化區(qū)上形成固化區(qū);
其中,所述固化區(qū)的寬度小于所述第一半固化區(qū)的寬度,所述固化區(qū)光刻膠的曝光的能量大于等于所述光刻膠的感光閾值;
將所述光刻膠進(jìn)行顯影;
對未被光刻膠覆蓋的所述薄膜層刻蝕;
將所述固化區(qū)的光刻膠剝離。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





