[發(fā)明專利]一種薄膜圖案化的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410776113.0
• 申請日: 2014-12-15
• 公開（公告）號: CN104460227B
• 公開（公告）日: 2018-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張磊;羅祝義;孟祥明;尹鎮(zhèn)鎬;郭建強;廖洪林
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G03F1/76
• 分類號: G03F1/76;G03F7/00;G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種薄膜圖案化的方法，其特征在于，包括：

在基板的表面涂覆一層薄膜層；

在所述薄膜層的表面涂覆光刻膠；

通過掩膜版對所述光刻膠進(jìn)行第一次曝光，形成第一半固化區(qū)，所述第一半固化區(qū)光刻膠的曝光的能量小于所述光刻膠的感光閾值；

通過所述掩膜版對所述光刻膠進(jìn)行第二次曝光，在所述第一半固化區(qū)上形成固化區(qū)；

其中，所述固化區(qū)的寬度小于所述第一半固化區(qū)的寬度，所述固化區(qū)光刻膠的曝光的能量大于等于所述光刻膠的感光閾值；

將所述光刻膠進(jìn)行顯影；

對未被光刻膠覆蓋的所述薄膜層刻蝕；

將所述固化區(qū)的光刻膠剝離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜圖案化的方法，其特征在于，所述通過所述掩膜版對所述光刻膠進(jìn)行第二次曝光，還包括在所述第一半固化區(qū)上形成第二半固化區(qū)；

其中，所述第二半固化區(qū)與所述固化區(qū)的寬度之和小于所述第一半固化區(qū)的寬度，所述第二半固化區(qū)光刻膠的曝光的能量小于所述光刻膠的感光閾值。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜圖案化的方法，其特征在于，所述通過所述掩膜版對所述光刻膠進(jìn)行第二次曝光包括：

在所述第一半固化區(qū)上形成所述固化區(qū)以及位于所述固化區(qū)兩側(cè)的所述第二半固化區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜圖案化的方法，其特征在于，所述通過所述掩膜版對所述光刻膠進(jìn)行第二次曝光包括：

將所述第一次曝光采用的光源通過光過濾器，對所述光刻膠進(jìn)行所述第二次曝光。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜圖案化的方法，其特征在于，所述第一半固化區(qū)的寬度與所述第一次曝光的光刻膠成膜曝光量成正比。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜圖案化的方法，其特征在于，所述固化區(qū)的寬度與所述第二次曝光的光刻膠成膜曝光量成正比，與所述光刻膠的顯影剝離時間成反比。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜圖案化的方法，其特征在于，

所述固化區(qū)的寬度與所述第一次曝光的光刻膠成膜曝光量成正比；

所述固化區(qū)的寬度與所述第二次曝光的光刻膠成膜曝光量成正比；

所述固化區(qū)的寬度與所述光刻膠的顯影剝離時間成反比。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項所述的薄膜圖案化的方法，其特征在于，所述薄膜層包括彩色膜層或黑矩陣膜層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項所述的薄膜圖案化的方法，其特征在于，所述薄膜層包括柵線膜層、數(shù)據(jù)線膜層或公共電極線膜層。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜圖案化的方法，其特征在于，所述光過濾器包括高分辨率裝置、光濃度濾光片或者特定光波長濾光片中的至少一種。