[發(fā)明專利]具有集成的微波組件的半導(dǎo)體封裝件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410773627.0
• 申請(qǐng)日: 2014-12-12
• 公開（公告）號(hào): CN104716122A
• 公開（公告）日: 2015-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: E·澤勒;M·沃杰諾維斯基;W·哈特納;J·伯伊克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/532
• 分類號(hào): H01L23/532;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)，并且具體而言涉及將半導(dǎo)體芯片和組件嵌入到封裝劑中的技術(shù)。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件制造商不斷努力增加他們的產(chǎn)品的性能，同時(shí)減少它們的制造成本。半導(dǎo)體器件封裝件的制造中的成本集中區(qū)是封裝半導(dǎo)體芯片。因而，低成本和高產(chǎn)量的半導(dǎo)體器件封裝件和制造該半導(dǎo)體器件封裝件的方法是令人希望的。另外，對(duì)于提供更小、更薄、或更輕并且具有更加多樣的功能性和改進(jìn)的可靠性的半導(dǎo)體器件封裝件的不斷努力已經(jīng)驅(qū)動(dòng)所涉及的所有技術(shù)領(lǐng)域中的一系列技術(shù)創(chuàng)新。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件封裝件，包括：封裝劑；至少部分地嵌入在所述封裝劑中的半導(dǎo)體芯片；微波組件，所述微波組件包括集成在所述封裝劑中的至少一個(gè)導(dǎo)電壁結(jié)構(gòu)；以及電互連，所述電互連被配置成將所述微波組件電耦合到所述半導(dǎo)體芯片。

本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件封裝件，包括：封裝劑；至少部分地嵌入在所述封裝劑中的半導(dǎo)體芯片；以及矩形波導(dǎo)，所述矩形波導(dǎo)包括集成在所述封裝劑中的至少一個(gè)導(dǎo)電壁結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明還提供了一種制造半導(dǎo)體器件封裝件陣列的方法，所述方法包括：在臨時(shí)載體上放置多個(gè)半導(dǎo)體芯片；利用封裝材料來覆蓋所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片以形成封裝體；提供多個(gè)微波組件，每個(gè)微波組件包括集成在所述封裝體中的至少一個(gè)導(dǎo)電壁結(jié)構(gòu)；形成多個(gè)電互連，每個(gè)電互連被配置為電耦合半導(dǎo)體芯片和微波組件；以及將所述封裝體分離成單個(gè)半導(dǎo)體器件封裝件，每個(gè)半導(dǎo)體器件封裝件包括半導(dǎo)體芯片、微波組件以及電互連。

附圖說明

包括所附附圖以提供實(shí)施例的進(jìn)一步的理解并且所附附圖被并入本說明書并且構(gòu)成本說明書的一部分。附圖圖示了實(shí)施例并且與說明書一起用作解釋實(shí)施例的原理。其他實(shí)施例和實(shí)施例的意圖的優(yōu)點(diǎn)中的眾多優(yōu)點(diǎn)將易于意識(shí)到，因?yàn)樗鼈兺ㄟ^參照以下具體實(shí)施方式而變得更好理解。附圖的元素不一定相對(duì)于彼此成比例。同樣的附圖標(biāo)記指代對(duì)應(yīng)的類似的部分。

圖1示意性地圖示了包括半導(dǎo)體芯片和微波組件的示例性半導(dǎo)體器件封裝件的截面圖。

圖2示意性地圖示了包括半導(dǎo)體芯片和微波組件的示例性半導(dǎo)體器件封裝件的截面圖。

圖3示意性地圖示了包括半導(dǎo)體芯片、微波組件和電重分布層(RDL)的示例性半導(dǎo)體器件封裝件的截面圖。

圖4示意性地圖示了包括半導(dǎo)體芯片、微波組件、電重分布層(RDL)和導(dǎo)電層的示例性半導(dǎo)體器件封裝件的截面視圖。

圖5A和圖5B分別示意性地圖示了示例性半導(dǎo)體器件封裝件的平面圖和沿著圖5A的截面線A-A的截面圖。

圖6示意性地圖示了包括作為波導(dǎo)側(cè)壁的一排電過孔的示例性矩形波導(dǎo)的透視圖。

圖7示意性地圖示了包括作為波導(dǎo)側(cè)壁的一排電過孔和封閉壁的示例性矩形波導(dǎo)的透視圖。

圖8示意性地圖示了包括作為波導(dǎo)側(cè)壁的封閉壁(除了輸入開口之外)的示例性矩形波導(dǎo)的透視圖。

圖9A和9B分別示意性地圖示了圖6到8中示出的示例性矩形波導(dǎo)的平面圖和自查看方向B的側(cè)視圖。

圖10為形成例如濾波器的示例性矩形波導(dǎo)的第一金屬板的平面圖。

圖11為形成例如濾波器的示例性矩形波導(dǎo)的第一金屬板的平面圖。

圖12為形成例如天線的示例性矩形波導(dǎo)的第二金屬板的平面圖。

圖13為形成例如功率合成器或功率分配器的示例性矩形波導(dǎo)的第一金屬板的平面圖。

圖14示意性地圖示了包括半導(dǎo)體芯片和包括在側(cè)向上輻射的天線的矩形波導(dǎo)的示例性半導(dǎo)體器件封裝件的截面圖。

圖15示意性地圖示了包括半導(dǎo)體芯片、包括在側(cè)向上輻射的天線的矩形波導(dǎo)和電重分布層(RDL)的示例性半導(dǎo)體器件封裝件的截面圖。

圖16A和圖16B分別示意性地圖示了用于傳送微波頻率信號(hào)的共面線的平面圖和微帶線的截面圖。

圖17為用于通過使用嵌入式晶圓級(jí)封裝(eWLP)技術(shù)來制造包括半導(dǎo)體芯片和矩形波導(dǎo)的半導(dǎo)體器件封裝件的示例性工藝的流程圖。

圖18A到圖18F示意性地圖示了通過使用嵌入式晶圓級(jí)封裝(eWLP)技術(shù)來制造包括半導(dǎo)體芯片和微波組件的半導(dǎo)體器件封裝件的方法的一個(gè)示例性實(shí)施例。

圖19A到19D示意性地圖示了通過使用嵌入式晶圓級(jí)封裝(eWLP)技術(shù)來制造包括半導(dǎo)體芯片和微波組件的半導(dǎo)體器件封裝件的方法的一個(gè)示例性實(shí)施例。

具體實(shí)施方式