[發明專利]具有集成的微波組件的半導體封裝件在審
| 申請號: | 201410773627.0 | 申請日: | 2014-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN104716122A | 公開(公告)日: | 2015-06-17 |
| 發明(設計)人: | E·澤勒;M·沃杰諾維斯基;W·哈特納;J·伯伊克 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/532 | 分類號: | H01L23/532;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華 |
| 地址: | 德國諾伊*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 集成 微波 組件 半導體 封裝 | ||
1.一種半導體器件封裝件,包括:
封裝劑;
至少部分地嵌入在所述封裝劑中的半導體芯片;
微波組件,所述微波組件包括集成在所述封裝劑中的至少一個導電壁結構;以及
電互連,所述電互連被配置成將所述微波組件電耦合到所述半導體芯片。
2.根據權利要求1所述的半導體器件封裝件,其中所述至少一個導電壁結構包括形成在所述封裝劑中的一排傳導過孔或者形成在所述封裝劑中的一個或多個傳導槽。
3.根據權利要求1所述的半導體器件封裝件,進一步包括:
嵌入在所述封裝劑中的插入體,其中所述至少一個導電壁結構包括形成在所述插入體中的一排傳導過孔或者形成在所述插入體中的一個或多個傳導槽或者在所述插入體的壁部上的金屬。
4.根據權利要求1所述的半導體器件封裝件,其中所述電互連包括微帶線和共面線中的一個。
5.根據權利要求1所述的所述半導體器件封裝件,進一步包括:
被布置在所述封裝劑的第一主表面之上的電重分布層,其中所述電重分布層包括所述電互連。
6.根據權利要求1所述的半導體器件封裝件,其中所述微波組件包括矩形波導,所述矩形波導具有第一金屬板、與所述第一金屬板平行布置的第二金屬板以及連接到所述第一金屬板并且連接到所述第二金屬板的所述至少一個導電壁結構。
7.根據權利要求6所述的半導體器件封裝件,進一步包括:
被布置在所述封裝劑的第一主表面之上的電重分布層,其中所述電重分布層包括所述矩形波導的所述第一金屬板。
8.根據權利要求6所述的半導體器件封裝件,進一步包括:
被設置在所述封裝劑的第二主表面之上的導電層,其中所述導電層包括所述矩形波導的所述第二金屬板。
9.根據權利要求6所述的半導體器件封裝件,其中所述矩形波導選自由濾波器、天線、諧振器、濾波器陣列、諧振器陣列、天線陣列、功率合成器、以及功率分配器組成的組。
10.根據權利要求1所述的半導體器件封裝件,其中所述微波組件為電磁屏蔽。
11.根據權利要求1所述的半導體器件封裝件,其中所述封裝劑為模制材料或者層壓材料中的一個。
12.一種半導體器件封裝件,包括:
封裝劑;
至少部分地嵌入在所述封裝劑中的半導體芯片;以及
矩形波導,所述矩形波導包括集成在所述封裝劑中的至少一個導電壁結構。
13.根據權利要求12所述的半導體器件封裝件,其中所述矩形波導包括第一金屬板和第二金屬板并且所述至少一個導電壁結構連接到所述第一金屬板并且連接到所述第二金屬板,并且其中所述第一金屬板和所述第二金屬板中的至少一個從通過布置在所述封裝劑的主表面之上的金屬層來構造。
14.一種制造半導體器件封裝件陣列的方法,所述方法包括:
在臨時載體上放置多個半導體芯片;
利用封裝材料來覆蓋所述多個半導體芯片以形成封裝體;
提供多個微波組件,每個微波組件包括集成在所述封裝體中的至少一個導電壁結構;
形成多個電互連,每個電互連被配置為電耦合半導體芯片和微波組件;以及
將所述封裝體分離成單個半導體器件封裝件,每個半導體器件封裝件包括半導體芯片、微波組件以及電互連。
15.根據權利要求14所述的方法,其中形成所述多個電互連包括:
在所述封裝體的第一主表面之上形成電重分布層;以及
構造所述電重分布層以形成微波傳輸線。
16.根據權利要求14所述的方法,進一步包括:
在所述封裝體的第一主表面之上形成電重分布層;以及
構造所述電重分布層以形成矩形波導的第一板。
17.根據權利要求14所述的方法,其中提供集成在所述封裝體中的所述多個微波組件包括:
在所述封裝體中形成多排傳導過孔或傳導槽以形成所述封裝體中的所述多個導電壁結構。
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